本发明专利技术中所揭示的标的物涉及一种用于非易失性存储器的读取操作过程。
【技术实现步骤摘要】
本文中所揭示的标的物涉及一种用于非易失性存储器的读取操作过程。
技术介绍
存储器装置用于许多类型的电子装置中，例如计算机、蜂窝电话、PDA、数据记录器及导航设备，此处仅列举几个实例。在此类电子装置当中，可采用各种类型的非易失性存储器装置，例如NAND或NOR快闪存储器及相变存储器，此处仅列举几个实例。与非易失性存储器相比，易失性存储器通常可被认为具有缺陷，这是因为如果中断所述易失性存储器的电力，那么易失性存储器可不保持所存储信息。尽管存在此可能缺点，但例如SRAM或DRAM (举例来说)的易失性存储器通常能够比非易失性存储器更快地处理编程/读取/擦除操作。 因此，如果存储器速度是相对重要考虑因素，那么易失性存储器可替代非易失性存储器而经选择用于在电子装置中使用。因此，通常期望改进非易失性存储器的速度以使得非易失性存储器可变得与易失性存储器越来越有竞争性。附图说明将参考以下各图描述非限制性及非穷尽性实施例，其中除非另有说明，否则所有各图中相似参考编号指代相似部件。图1是根据一实施例的对存储器装置的读取存取的时序图。图2是根据另一实施例的对存储器装置的读取存取的时序图。图3是根据一实施例的存储器装置的一部分的示意性框图。图4展示根据一实施例的对存储器装置的不同读取存取操作的时序图。图5是根据另一实施例的存储器装置的一部分的示意性框图。图6是根据又一实施例的对存储器装置的读取存取的时序图。图7是根据一实施例的计算系统及存储器装置的示意图。具体实施例方式此说明书通篇所提及的“一项实施例”或“一实施例”意指结合所述实施例描述的特定特征、结构或特性包含在所主张的标的物的至少一项实施例中。因此，在此说明书通篇中的各个地方出现的短语“在一项实施例中”或“一实施例”未必全部指代同一实施例。此外，可将所述特定特征、结构或特性组合在一个或一个以上实施例中。本文中所描述的实施例包含减少例如相变存储器(PCM)(举例来说)的非易失性存储器装置的存储器存取时间的技术。一个此技术可涉及通过修改执行标准读取存取的特定部分的顺序次序来修改所述标准读取存取。举例来说，可在预活动阶段中而非读取存取的启动阶段中执行此类特定部分，如下文详细描述。在实施方案中，此标准读取存取可描述于若干公开案中，例如(举例来说)所属领域的技术人员所熟知的联合电子装置工程会议 (JEDEC)标准公开案(参见2010年2月的低功率双倍数据速率2 (LPDDR2)，JESD209-2B,举例来说)。尽管其它公开案及/或标准可描述标准读取过程，但在下文中此标准读取过程将称为“LPDDR2标准”。除别的以外，LPDDR2标准陈述与存储器装置相关联的若干命令，例如预活动命令、启动命令、读取命令及写入命令，此处仅列举几个实例。举例来说，此类命令详细描述于LPDDR2标准，章节2. 11. 1中。在从存储器装置读取的过程的特定实施方案中，预活动命令可包含将行地址的至少一部分写入到行地址缓冲器的过程。在完成预活动命令之后，举例来说，启动命令可以列地址写入过程、行解码选择过程以及列解码选择及位线预充电过程开始。在完成此启动命令之后，存储器控制器可即刻起始读取命令。在特定实施方案中，可替代地在预主动命令期间执行在启动命令期间出现(如JEDEC标准所规定)的列解码选择及位线预充电过程。由于所述列解码选择及位线预充电过程包括读取存取的内部感测时间的关联最大促成因素中的一者，因此对过程次序的重新布置可导致存储器存取时间减少，如下文更详细描述。尽管此重新布置可导致时间增加以执行预活动阶段，但在读取存取期间启动阶段(具有缩短的持续时间)可比预活动阶段出现得相对更频繁。因此，即使延长预活动阶段，执行读取存取的时间的净减少也可由缩短启动阶段引起。举例来说，如果多个读取存取操作涉及用以存取存储器阵列的特定部分(例如，存取对于特定行群组来说是局部的)的地址，那么单个预活动命令可适用于所有此类读取存取操作。因此，可通过缩短执行读取存取中包含的一个或一个以上启动命令所花费的时间来缩短读取存取的持续时间。即使执行预活动命令所花费的时间可响应于经缩短的启动命令而增加，情况也可能如此。在一实施例中，减少对非易失性存储器装置的读取存取的存储器存取时间的方法可包含执行预活动命令以包含行地址写入操作(例如，依据LPDDR2标准)及执行原本指派给启动命令(例如，与LPDDR2标准相反，其规定所述行地址写入操作为在预活动命令期间执行的唯一操作)的至少一个操作。换句话说，替代根据LPDDR2标准在启动命令期间执行特定操作，可替代地在预活动命令期间应用此特定操作。在一项实施方案中，此特定操作可包括位线预充电及列选择操作。因此，与LPDDR2标准相反，启动命令可在所述位线预充电及列选择操作之后出现。可通过重新布置存储器装置的内部存储器地址的地址位次序且在行地址写入操作中并入所述内部存储器地址来实施用于读取所述存储器装置的操作的此重新布置，如下文所描述。当然，读取存取的此类细节仅为实例，且所主张的标的物并不受如此限制。在一实施例中，具有读取存取的经减少存储器存取时间的存储器装置可包括存储器控制器，其用以执行读取存取以存取存储器阵列。此存储器控制器可起始预活动命令以执行行地址写入操作(例如，依据LPDDR2标准)且执行原本指派给启动命令(例如，与 LPDDR2标准相反)的至少一个特定操作。如上文所提及，所述至少一个特定操作可包括位线预充电及列选择操作。在实施方案中，存储器装置的一部分可适于重新布置内部存储器地址的地址位次序且在行地址写入操作中并入所述内部存储器地址，如下文所讨论。图1是根据一实施例的对存储器装置的读取存取100的时序图。举例来说，此读取存取的细节可由上文所提及的LPDDR2标准规定。在此情况下，读取存取的开始部分可包含后面是启动命令的预活动命令。持续时间110可包括从预活动命令的开始到启动命令的开始的时间跨度。持续时间120可包括从启动命令的开始到随后读取命令的开始的时间跨度，如下文所解释。特定来说，预活动命令可包括行地址写入操作130。同时，启动命令可包括导致读取命令的若干操作 。特定来说，启动命令可包括列地址写入操作132、行解码选择134、位线预充电及列选择操作136、放大评估138及其它内部存储器操作140。举例来说，除别的以外，内部存储器操作140可包括从读出放大器到行数据缓冲器的信息传送，如下文所描述。箭头150表示其中将位线预充电及列选择操作136从启动命令移动到预活动命令的实施方案，如下文所讨论。当然，此时序图仅为实例，且所主张的标的物在此方面并不受限制。图2是根据另一实施例的对存储器装置的读取存取200的时序图。举例来说，此读取存取的若干部分的细节可由上文所提及的LPDDR2标准规定。然而，如下文详细描述， 此读取存取的其他部分可不同于由LPDDR2标准规定的部分。至于读取存取100，读取存取的开始部分可包含后面是启动命令的预活动命令。持续时间210可包括从预活动命令的开始到启动命令的开始的时间跨度。持续时间220可包括从启动命令的开始到随后读取命令的开始的时间跨度，如下文所解释。特定来说，且与读取存取100相比，预活动命令可包括行地址写入操作230以及位线预充电及列选择操本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：格拉齐亚诺·米里希尼，达尼埃莱·维梅尔卡蒂，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：发明
国别省市：
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