半导体装置及其制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种半导体装置及其制造方法，该半导体装置在形成在衬底（１１）上的鳍式半导体区域（１３）的两侧部设置有延伸区域（１７）。该半导体装置形成有跨越鳍式半导体区域（１３）并与延伸区域（１７）相邻的栅电极（１５）。在与栅电极（１５）相邻的区域的鳍式半导体区域（１３）的上部形成有具有比延伸区域（１７）高的电阻率的电阻区域（３７）。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种，尤其涉及一种在衬底上具有鳍式半导体区域(fin—shaped semiconductor regions)的双栅极(double-gate)型。
技术介绍
近年来，伴随着半导体装置的高集成化、高功能化和高速化，对半导体装置的细微化的要求越来越高。因此，为了减少晶体管在衬底上的占有面积，提出了各种元件结构。其中，具有鳍(Fin)式结构的场效应晶体管备受注目。这种具有鳍式结构的场效应晶体管通常被称为鳍式场效应应晶体管(Field Effect Transistor，FET)，这种晶体管具有由垂直于衬底主表面的薄壁(fin)状半导体区域(以下，称为鳍式半导体区域)构成的活性区域。 在鳍式FET中，因为能够实现利用鳍式半导体区域的上表面和两侧面作为沟道面的三栅极型结构，所以能减少晶体管在衬底上的占有面积(例如，参照专利文献1、非专利文献1)。图13(a) 图13(e)是表示现有的鳍式三栅极FET的结构的图，图13(a)是俯视图，图13(b)是图13(a)中A-A线的剖视图，图13(c)是图13(a)中B-B线的剖视图，图 13(d)是图13(a)中C-C线的剖视图，图1本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种半导体装置，其特征在于：该半导体装置包括：鳍式半导体区域，该鳍式半导体区域形成在衬底上且该鳍式半导体区域的两侧部具有延伸区域，栅电极，该栅电极形成为跨越所述鳍式半导体区域并与所述延伸区域相邻，以及电阻区域，该电阻区域形成在与所述栅电极相邻的区域的所述鳍式半导体区域的上部；所述电阻区域具有比所述延伸区域高的电阻率。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：佐佐木雄一朗，
申请(专利权)人：松下电器产业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP