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本发明提供一种半导体装置及其制造方法，该半导体装置在形成在衬底（１１）上的鳍式半导体区域（１３）的两侧部设置有延伸区域（１７）。该半导体装置形成有跨越鳍式半导体区域（１３）并与延伸区域（１７）相邻的栅电极（１５）。在与栅电极（１５）相邻的区...
该专利属于松下电器产业株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过松下电器产业株式会社授权不得商用。

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