薄膜晶体管制造方法、薄膜晶体管以及电子装置制造方法及图纸

提供了一种在不损坏有机半导体图案的情况下通过容易且适合于增大面积的工艺制造具有抑制了劣化的顶部接触结构的薄膜晶体管的方法。在基板（１）上形成有机半导体图案（７ａ）。在所述基板（１）上形成电极材料膜（１３）以覆盖所述有机半导体图案（７ａ）。在所述电极材料膜（１３）上形成抗蚀剂图案（１５）。使用所述抗蚀剂图案（１５）作为掩模，通过湿法蚀刻对所述电极材料膜（１３）进行构图。通过该工艺，形成源极（１３ｓ）和漏极（１３ｄ）。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及薄膜晶体管制造方法、薄膜晶体管以及电子装置。更具体来说，本专利技术涉及制造薄膜晶体管的方法、通过该方法获得的薄膜晶体管、以及使用该薄膜晶体管的电子装置，在该薄膜晶体管中，在有机半导体图案上方形成精细的源极和漏极。
技术介绍
近年来，使用有机半导体作为沟道层的薄膜晶体管(TFT)(所谓的有机TFT)受到关注。由于有机TFT是通过在低温下涂敷由有机半导体制成的沟道层而形成的，因此降低成本是有利的。还在没有热阻性质的柔性基板(如塑料基板)上形成有机TFT。已知的是， 在具有顶部接触底部栅极结构的有机TFT中，与具有底部接触结构的有机TFT相比，由于热应力等产生的特性劣化受到了抑制。在制造这种顶部接触底部栅极结构的有机TFT时，研究了一种在有机半导体图案上以高精度对源极和漏极进行构图的方法。例如，日本未审专利申请公报No. 2006-216718 公开了一种方法设置将基板上方的空间分成两半的横断部，从两个方向通过汽相淀积形成有机半导体图案，以及对金属材料进行汽相淀积，以被横断部分开，从而形成源极和漏极。引证列表专利文献专利文献1 日本未审专利申请公报No. 2006-2167本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种制造薄膜晶体管的方法，包括以下步骤：在基板上形成有机半导体图案；在所述基板上形成电极材料膜以覆盖所述有机半导体图案；以及在所述电极材料膜上形成抗蚀剂图案，并使用所述抗蚀剂图案作为掩模，通过湿法蚀刻对所述电极材料膜进行构图来形成源极和漏极。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：胜原真央，
申请(专利权)人：索尼公司，
类型：发明
国别省市：JP