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提供了一种在不损坏有机半导体图案的情况下通过容易且适合于增大面积的工艺制造具有抑制了劣化的顶部接触结构的薄膜晶体管的方法。在基板（１）上形成有机半导体图案（７ａ）。在所述基板（１）上形成电极材料膜（１３）以覆盖所述有机半导体图案（７ａ）。在...
该专利属于索尼公司所有，仅供学习研究参考，未经过索尼公司授权不得商用。

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