【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及半导体装置，半导体装置的制造方法，半导体基板和半导体基板的制造方法。另外，本申请是2008年(平成20年)度经济产业省“关于战略性技术开发委托费(纳米电子学半导体新材料 新构造技术开发-其中新材料 新构造纳米电子设备<(4) III-V MISFET/III-V-On-Insulator (III-V-OI)MISFET 形成工艺技术的研究开发-其中集成化构造的特性评价和设计因子的技术开发 > 的委托研究”，适用于产业技术力强化法第 19条的专利申请。
技术介绍
近几年，开发了在活性区域使用GaAs等的化合物半导体的各种高功能电子设备。比如，将化合物半导体用于沟道层的MIS型场效应型晶体管 (metal-Insulator-semiconductor field-effect transistor。以下，有时禾尔为MISFET。)， 被期望适合作为高频动作及大功率动作的开关设备。在将化合物半导体使用于沟道层的 MISFET中，降低化合物半导体和绝缘性材料的界面上形成的界面能级变得重要。比如，非专利文献1，明确公开了通过用硫化物处理化合物...
【技术保护点】
１．一种半导体装置，具备：３－５族化合物半导体，其具有闪锌矿型的结晶结构；绝缘性材料，其接触于所述３－５族化合物半导体的（１１１）面、与所述（１１１）面等效的面、或具有从所述（１１１）面或与所述（１１１）面等效的面倾斜的倾斜角的面；以及ＭＩＳ型电极，其接触于所述绝缘性材料且含有金属传导性材料。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
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