一种存储器包括具有多条位线的虚拟接地阵列、灵敏放大器、若干列选通电路、输入输出电路、第一开关和第二开关，所述存储器的目标存储单元的读操作包括读预充电阶段、读数据阶段和放电阶段，第一开关和第二开关分别与所有位线连接，其中，在读预充电阶段，所述第一开关用于输出读预充电电压至所有位线；在读数据阶段，所述灵敏放大器通过列选通电路和输入输出电路将与目标存储单元连接的一条位线的电压下拉至低于预充电电压的第一电压，所述灵敏放大器通过列选通电路和输入输出电路从与目标存储单元连接的另外一条位线读出数据；在放电阶段，所述第二开关用于释放所有位线的电压。本发明专利技术存储器所占面积小，而且，不会影响读操作和写操作的速度。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及存储器，特别涉及具有虚拟接地阵列的存储器。
技术介绍
请参阅图1，现有的虚拟接地阵列包括多条字线、多条位线、多个存储单元、多路选择器YMUX、输入输出电路A和灵敏放大器B。多条字线成行排列，图中示意出了三条字线 WL(m-l),WL(m)和WL(m+l)。多条位线成列排列且与字线垂直相交，图中示意出了 BLO至 BL(k+2)。多个存储单元呈矩阵排列，其中，一行存储单元的栅极连接至一条字线，一列存储单元的漏极和源极分别与位于该列存储单元两侧的位线连接。多路选择器YMUX里整合有放电电路、放电译码电路和若干列选通电路C。放电电路包括多个下拉晶体管，图中示意出了下拉晶体管MO和M(k+1)，其中，任意一个下拉晶体管的第一极接地，第二极与一条位线连接，栅极输入译码控制信号，比如，下拉晶体管MO的第一极接地，第二极连接位线BL0，栅极输入译码控制信号Y0。放电译码电路(图中未示)用于向放电电路的相应的下拉晶体管发出译码控制信号，该译码控制信号使得放电电路将相应的下拉晶体管导通而释放选中的位线的电荷。每一列选通电路C包括匪OS晶体管NTl、匪OS晶体管NT2和匪OS晶体管 NT3，匪OS晶体管NTl与相应的位线连接，匪OS晶体管NT2的两极分别与匪OS晶体管NTl 和NT2连接，NMOS晶体管NT3与输入输出电路A连接。输入输出电路A和灵敏放大器B连接。以存储单元Bl为例说明上述虚拟接地阵列的读操作首先，存储器的行译码器选中字线WL(m)，接着，放电译码电路经过译码向放电电路的下拉晶体管MO发出译码控制信号YO而导通下拉晶体管M0，这样，位线BLO的电压被下拉至0V，存储器的列选通电路(NM0S 晶体管NT1、NM0S晶体管NT2和NMOS晶体管NT3同时导通)选中位线BLl，存储器的灵敏放大器B通过与位线BLl连接的列选通电路C和输入输出电路A将位线BLl的电压拉至1. 2V， 最后，灵敏放大器B通过输入输出电路A和与位线BLl连接的列选通电路C从位线BLl读出存储单元Bl的数据。以存储单元Bl为例说明上述虚拟接地阵列的写操作行译码器选中字线ffL(m)， 写预充电信号PG_PREEN控制NMOS晶体管NT4、NT5和NT6导通而将所有位线的电压预充至预充电电压Vinh，接着，灵敏放大器B通过输入输出电路A以及与位线BLO连接的选通电路C(NM0S晶体管NTl、NMOS晶体管NT2和NMOS晶体管NT3均导通)将位线BLO的电压从预充电电压拉至第一编程电压(3V 7V)，比如，为5V，然后，与位线BLl连接的恒定电流源(位于灵敏放大器B中)将位线BLl的电压从预充电电压拉至第二编程电压Vdp(0.1 0. 5) V，灵敏放大器B通过输入输出电路A和与位线BLl连接的列选通电路C从位线BLl向存储单元Bl写入数据。上述具有虚拟接地阵列的存储器虽然能够完成读、写的操作，但是，因为所述存储器包括放电电路和放电译码电路，且放电电路包括若干下拉晶体管，这样，存储器所占面积大。与具有虚拟接地阵列的存储器相关的专利申请还可以参见公开号为CN1^8764A 号和CN17833^A的中国专利。
技术实现思路
本专利技术解决的技术问题是现有虚拟接地阵列所占面积大的问题。为了解决上述问题，本专利技术提供一种存储器，该存储器包括具有多条位线的虚拟接地阵列、灵敏放大器、若干列选通电路、输入输出电路、第一开关和第二开关，一列选通电路与一条位线和输入输出电路连接，灵敏放大器与输入输出电路连接，所述虚拟接地阵列包括多列存储单元，各列存储单元分别连接两条位线，所述存储器中的目标存储单元的读操作包括读预充电阶段、读数据阶段和放电阶段，所述存储器还包括第一开关和第二开关， 所述第一开关和第二开关分别与虚拟接地阵列的所有位线连接，其中，在读预充电阶段，所述第一开关用于输出读预充电电压至所有位线；在读数据阶段，所述灵敏放大器通过列选通电路和输入输出电路将与目标存储单元连接的一条位线的电压下拉至低于预充电电压的第一电压，所述灵敏放大器通过列选通电路和输入输出电路从与目标存储单元连接的另外一条位线读出数据；在放电阶段，所述第二开关用于释放所有位线的电压；或者，所述虚拟接地阵列包括多个存储块，各个存储块分别包括多列存储单元，各列存储单元分别连接两条位线，所述存储器中的目标存储单元的读操作包括读预充电阶段、读数据阶段和放电阶段，所述存储器还包括第一开关、第二开关和多个与所述存储块对应的控制开关，所述第一开关、第二开关通过各控制开关与对应的存储块的所有位线连接， 其中，在读预充电阶段，所述第一开关用于通过与所述目标存储单元所在的存储块对应的控制开关将读预充电电压输出至该存储块的所有位线；在读数据阶段，所述灵敏放大器通过列选通电路和输入输出电路将与目标存储单元连接的一条位线的电压下拉至低于预充电电压的第一电压，所述灵敏放大器通过列选通电路和输入输出电路从与目标存储单元连接的另外一条位线读出数据；在放电阶段，所述第二开关用于通过与所述目标存储单元所在的存储块对应的控制开关将所有位线的电压释放。可选地，所述第一开关包括NMOS晶体管，该NMOS晶体管的第一极输入所述读预充电电压，该NMOS晶体管的第二极与所有位线连接，该NMOS晶体管的栅极输入所述读预充电信号，所述读预充电信号在读预充电阶段有效，在读数据阶段和放电阶段无效；或者，所述第一开关包括NMOS晶体管，该NMOS晶体管的第一极输入所述读预充电电压，该NMOS晶体管的第二极与所述控制开关连接，该NMOS晶体管的栅极输入所述读预充电信号，所述读预充电信号在读预充电阶段有效，在读数据阶段和放电阶段无效。可选地，所述第一开关还包括缓冲器，该缓冲器的输出端与所述NMOS晶体管的第一极连接，输入端输入由存储器的带隙基准源产生的参考电压，所述参考电压为所述读预充电电压。可选地，所述缓冲器为运算放大器，该运算放大器的输出端为所述缓冲器的输出端，该运算放大器的输出端与该运算放大器的反相输入端连接，该运算放大器的同相输入端输入所述参考电压。可选地，所述第二开关为NMOS晶体管，该NMOS晶体管的第一极输入接地信号，该 NMOS晶体管的第二极与所有位线连接，该NMOS晶体管的栅极输入所述放电信号，所述放电信号在放电阶段有效，在读预充电阶段和读数据阶段无效；或者，所述第二开关为NMOS晶体管，该NMOS晶体管的第一极输入接地信号，该NMOS晶体管的第二极与所述控制开关连接，该NMOS晶体管的栅极输入所述放电信号，所述放电信号在放电阶段有效，在读预充电阶段和读数据阶段无效。可选地，所述存储器的写操作包括写预充电阶段和写数据阶段，所述存储器还包括第三开关，该第三开关与虚拟接地阵列所有位线连接，其中，在写预充电阶段，所述第三开关用于输出写预充电电压至所有位线；在写数据阶段，所述灵敏放大器通过列选通电路和输入输出电路将与所述目标存储单元连接的一条位线的电压上拉至大于所述写预充电电压的第一编程电压，所述灵敏放大器通过列选通电路和输入输出电路将与所述目标存储单元连接的另一条位线的电压下拉至小于所述写预充电电压的第二编程电压，并通过该另一条位线向目标存储单元写入数据；或者，所述第三开关通过各控制开关与对应的存储块的所有位线连接本文档来自技高网...
【技术保护点】
１．一种存储器，包括具有多条位线的虚拟接地阵列、灵敏放大器、若干列选通电路和输入输出电路，一列选通电路与一条位线和输入输出电路连接，灵敏放大器与输入输出电路连接，其特征在于，所述虚拟接地阵列包括多列存储单元，各列存储单元分别连接两条位线，所述存储器中的目标存储单元的读操作包括读预充电阶段、读数据阶段和放电阶段，所述存储器还包括第一开关和第二开关，所述第一开关和第二开关分别与虚拟接地阵列的所有位线连接，其中，在读预充电阶段，所述第一开关用于输出读预充电电压至所有位线；在读数据阶段，所述灵敏放大器通过列选通电路和输入输出电路将与目标存储单元连接的一条位线的电压下拉至低于预充电电压的第一电压，所述灵敏放大器通过列选通电路和输入输出电路从与目标存储单元连接的另外一条位线读出数据；在放电阶段，所述第二开关用于释放所有位线的电压；或者，所述虚拟接地阵列包括多个存储块，各个存储块分别包括多列存储单元，各列存储单元分别连接两条位线，所述存储器中的目标存储单元的读操作包括读预充电阶段、读数据阶段和放电阶段，所述存储器还包括第一开关、第二开关和多个与所述存储块对应的控制开关，所述第一开关、第二开关通过各控制开关与对应的存储块的所有位线连接，其中，在读预充电阶段，所述第一开关用于通过与所述目标存储单元所在的存储块对应的控制开关将读预充电电压输出至该存储块的所有位线；在读数据阶段，所述灵敏放大器通过列选通电路和输入输出电路将与目标存储单元连接的一条位线的电压下拉至低于预充电电压的第一电压，所述灵敏放大器通过列选通电路和输入输出电路从与目标存储单元连接的另外一条位线读出数据；在放电阶段，所述第二开关用于通过与所述目标存储单元所在的存储块对应的控制开关将所有位线的电压释放。...
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：杨光军，
申请(专利权)人：上海宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：31
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。