【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种存储器，特别是涉及具备含有二极管的存储单元的存 储器。
技术介绍
以前，作为存储器的一个例子，大家都知道，各自包含二极管的多个存储单元被配置成矩阵状的交叉点式掩模ROM (下面，称为二极管RO M)。在现有的二极管ROM中，在存储单元阵列的内部互相交叉地配置有 多条字线和多条位线。该字线和位线分别连接着行译码器(rowdecoder) 和列译码器(column decoder)。而且，在存储单元阵列的外部设有地址 输入电路、行译码器、列译码器、读出放大器(sense amplifier)以及输出 电路。并且，在存储单元阵列的内部设有各自包含一个二极管的多个存储 单元。该多个存储单元沿多条字线和多条位线的每一条呈矩阵状进行排 列，并且通过选择晶体管，以规定数量与各字线连接。还有，与各字线连 接的规定数量的存储单元各自包含的二极管的阴极与共用的导电层连接 在一起。并且，二极管的阳极与位线连接在一起。在现有读出数据的动作中，首先，用行译码器，根据地址输入电路输 出的地址数据改变多条字线的电位。根据地址输入电路输出的地址数据， 用列译码器将与选定的存储...
【技术保护点】
一种存储器，具备： 多条字线； 多条位线，与上述多条字线交叉配置； 导电层，相对上述字线平行延伸而设置； 存储单元，配置在上述导电层与上述位线交叉的位置， 在分别配置规定数量的上述位线的第一区段和第二区段中，同 时选择的上述第一区段的位线的以上述第一区段的端部为基准的位置和上述第二区段的位线的以上述第二区段的端部为基准的位置不同。
【技术特征摘要】
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