半导体器件制造技术

公开了一种半导体器件。本发明专利技术的目的是实现一种具有高可靠性、小芯片面积和低功耗的无线芯片，其中，也防止了在诸如接近天线的情况下的强磁场中内部产生的电压极大增加。利用包含具有预定阈值电压的MOS电容器元件的谐振电路来实现该无线芯片。这样使得能够防止谐振电路的参数在强磁场中、在电压振幅超过预定值的情况下发生变化，从而可以保持无线芯片远离谐振状态。因此，在未使用限幅器电路或恒压产生电路的情况下，防止了过高电压的产生。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及能无线发送或接收数据的半导体器件。
技术介绍
近年来，已经取得了能无线发送或接收数据的半导体器件开发的进步。将这种半导体器件称为RFID (射频识别)标签、RF芯片、RF标签、IC芯片、IC标签、无线芯片、无线标签、电子芯片、电子标签、无线处理器或无线存储器等。在单晶硅衬底上形成的要被并入的集成电路是目前实际应用的半导体器件的主流(例如，参考专利文献1)。日本专利公开No. 11-133860能无线发送或接收数据的半导体器件(以下称为无线芯片)存在这样的问题在诸如接近天线的情况下的强磁场中内部产生的电压极大增加，从而毁坏构成电路的诸如晶体管的元件。因此，存在一种通过增加诸如限幅器电路和恒压产生电路的电路来防止产生过高电压的方法(参考专利文献日本专利申请No. 2005-111799)。然而，该方法因增加额外的电路而增加了电路面积。此外，所吸收的功率与产生过高电压而导致高功耗问题的情况相同。
技术实现思路
本专利技术是考虑到上述问题而提出的。本专利技术的目的是实现一种具有高可靠性、小芯片面积和低功耗的无线芯片，它是在未增加诸如限幅器电路或恒压产生电路的额外电路的情况下、本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种半导体器件，包括：谐振电路，配置为感生交流电压，该谐振电路包括Ｎ型ＭＯＳ电容器元件；线圈，配置为无线接收电功率，并且电连接到所述谐振电路中的所述Ｎ型ＭＯＳ电容器元件；控制电路；以及电源电路，配置为向所述控制电路提供基于所述交流电压产生的电压，其中所述Ｎ型ＭＯＳ电容器元件的阈值电压使得能够防止所述电压过度增加。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：加藤清，
申请(专利权)人：株式会社半导体能源研究所，
类型：发明
国别省市：JP