薄膜晶体管显示面板及其制造方法技术

技术编号:6919092 阅读:178 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本发明专利技术提供一种具有高的电荷迁移率且对于大面积显示器能获得均匀电特性的薄膜晶体管显示面板及其制造方法。TFT显示面板包括:栅电极,形成在绝缘基板上;第一栅绝缘层,由SiNx形成在该栅电极上;第二栅绝缘层,由SiOx形成在该第一栅绝缘层上;氧化物半导体层,形成得交叠该栅电极且具有沟道部分;以及钝化层,由SiOx形成在该氧化物半导体层和该栅电极上,该钝化层包括暴露漏电极的接触孔。该接触孔具有这样的形状,其中横截面积从在该漏电极处的底表面向上增大。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及,更特别地,涉及用于液晶显示器的包括氧化物半导体层的。
技术介绍
液晶显示器通常使用电场来调节穿过液晶的光透射率,由此显示图像。为此,液晶显示器包括液晶面板和用于驱动液晶面板的驱动电路,在液晶面板中,像素布置成矩阵。液晶面板包括彼此面对的薄膜晶体管(下文称为TFT)显示面板和滤色器面板、设置于TFT显示面板和滤色器面板之间以用于维持两个面板之间的预定单元间隙的间隔件、 以及填充单元间隙的液晶层。通常,TFT显示面板包括TFT的阵列且还包括用于保护TFT的钝化膜和电连接到 TFT的像素电极。在该情况下,为了电连接TFT和像素电极,接触孔形成于钝化膜中,这样的接触孔通常利用蚀刻剂通过蚀刻来形成于钝化膜中。然而,当具有蚀刻开口的钝化膜的垂直结构不稳定时,TFT与像素电极的电连接可能发生问题,导致像素操作错误。液晶显示器中使用的TFT通常基于构成开关元件的沟道区的材料分为非晶硅TFT 和多晶硅TFT。非晶硅TFT具有低的电荷迁移率,例如约0. 5cm2/VS,但是对于大面积显示能实现均勻的电特性。相反,多晶硅TFT具有高的电荷迁移率,例如数百cm7Vs,但是对于大面积显示难以本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种TFT显示面板,包括:栅电极,形成在绝缘基板上;第一栅绝缘层,形成在该栅电极上;第二栅绝缘层,由硅氧化物SiOx、铝氧化物、钛氧化物、锆氧化物、铪氧化物、钽氧化物以及钨氧化物中的至少一种形成在该第一栅绝缘层上;氧化物半导体层,交叠该栅电极且具有沟道部分;源电极和漏电极,在该氧化物半导体层上形成为彼此分隔开;以及钝化层,形成在该源电极和该漏电极上且具有第一接触孔,其中该第一接触孔具有横截面积从在该漏电极处的底表面向上增大的形状。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员:崔升夏郑卿在李禹根
申请(专利权)人:三星电子株式会社
类型:发明
国别省市:KR

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