具有肖特基二极管的沟槽式功率半导体结构及其制造方法技术

一种具有肖特基二极管的沟槽式功率半导体结构及其制造方法，所述方法包括下列步骤：a)形成一漏极区于一基板内；b)形成至少二个栅极结构于漏极区的上方，并且，形成一本体与至少一源极区于相邻二个栅极结构之间；c)形成一第一介电结构覆盖栅极结构；d)通过第一介电结构，形成至少一接触窗于本体，此接触窗的侧边邻接于源极区，而使源极区裸露于外；e)形成一第二介电结构于接触窗内，第二介电结构并具有至少一第二开口曝露接触窗的部分底面；f)通过第二介电结构蚀刻本体，以形成一窄沟槽延伸至本体下方的漏极区，此窄沟槽的宽度小于接触窗的宽度；以及g)于前述接触窗与窄沟槽内填入一金属层。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种沟槽式功率半导体结构及其制作方法，特别是关于一种具有肖特基二极管(Schottky Diode)的沟槽式半导体结构及其制作方法。
技术介绍
在沟槽式功率半导体的应用领域中，越来越注重切换速度的表现，此特性的改善提升能明显帮助高频电路操作中的切换损失。利用肖特基二极管来改善功率半导体元件的切换损失，是一个常见的解决方法。图1为一利用肖特基二极管SDl改善金氧半晶体管Tl的切换损失的电路示意图。 如图中所示，金氧半晶体管Tl的本体二极管(bodydiode)Dl并联于肖特基二极管SD1。由于肖特基二极管SD的启动电压低于本体二极管D1。因此，当金氧半晶体管Tl的源漏极存在顺向偏压时，肖特基二极管SDl可避免本体二极管Dl被导通(turn on)。亦即，在此情况下，电流是由源极S经由肖特基二极管SDl流动至漏极D。值得注意的是，相较于本体二极管Dl由导通转变为不导通(turnoff)的过程中， 因为少数载子(minority carrier)存在而会造成时间延迟，肖特基二极管不具有少数载子，因此，可以避免时间延迟，而有助于改善切换损失。
技术实现思路
因此，本专利技术的主要本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种具有一肖特基二极管的沟槽式功率半导体结构的制造方法，其特征在于，包括：形成一漏极区于一基板内；形成至少二个栅极结构于该漏极区的上方，并且，形成一本体与至少一源极区于相邻二该栅极结构之间；形成一第一介电结构覆盖该栅极结构；通过该第一介电结构，形成至少一接触窗于该本体，该接触窗的侧边邻接于该源极区，而使该源极区裸露于外；形成一第二介电结构于该接触窗内，该第二介电结构具有至少一第二开口曝露该接触窗的部分底面；通过该第二介电结构蚀刻该本体，以形成一窄沟槽延伸至该本体下方的该漏极区，该窄沟槽的宽度小于该接触窗的宽度；以及于该接触窗与该窄沟槽内填入一金属层，该金属层电性连接至该源极区，并形成该肖特...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：许修文，叶俊莹，
申请(专利权)人：科轩微电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71