阵列基板及其制造方法技术

本发明专利技术公开了一种阵列基板及其制造方法，其中阵列基板包括：衬底基板以及形成在衬底基板上的数据线、第一电极、第二电极、沟道、掺杂半导体层、半导体层、栅绝缘层、像素电极、数据线接口、栅电极和栅线；数据线与第一电极连接，沟道位于第一电极和第二电极之间，掺杂半导体层形成在第一电极、第二电极和数据线的上方；半导体层形成在掺杂半导体层的上方，栅绝缘层形成在半导体层的上方，像素电极与第二电极连接，数据线接口穿透栅绝缘层、半导体层及掺杂半导体层与数据线连接；栅电极形成在栅绝缘层的上方，且位于沟道的上方，栅电极与栅线连接。本发明专利技术简化了工艺步骤，缩短了生产周期，提高了生产效率和良品率，降低了生产成本。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及液晶显示技术，尤其涉及一种。
技术介绍
制造薄膜晶体管液晶显示器(ThinFilm Transistor Liquid Crystal Display, 简称TFT-IXD)阵列基板是通过一组构图工艺形成结构图形来完成，一次构图工艺形成一层结构图形，构图工艺的次数可以衡量制造TFT-LCD阵列基板的繁简程度，减少构图工艺的次数就意味着降低制造成本。现有技术提供了一种制造FFT-IXD阵列基板的五次构图工艺，具体包括栅线和栅电极构图工艺、有源层构图工艺、源漏电极构图工艺、过孔构图工艺以及像素电极构图工艺，其中每一次构图工艺中又分别包括薄膜沉积、掩膜曝光和刻蚀等工艺。现有技术还提供了一种制造TFT-IXD阵列基板的四次构图工艺，该工艺在上述五次构图工艺的基础上，利用半色调或灰色调掩模板技术，将有源层构图工艺与源漏电极构图工艺合并成一个构图工艺，也即通过一次构图工艺完成有源层、数据线、源电极、漏电极和薄膜晶体管(Thin Film Transistor，简称TFT)沟道区域图形的制作。该四次构图工艺具体包括通过采用普通掩模板的第一次构图工艺形成栅线和栅电极图形；通过采用半本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种阵列基板的制造方法，其特征在于，包括：在衬底基板上沉积源漏金属薄膜和掺杂半导体薄膜，通过第一次构图工艺形成包括数据线、第一电极、第二电极、沟道和掺杂半导体层的第一图形，其中所述数据线与所述第一电极连接，所述沟道位于所述第一电极和第二电极之间，所述掺杂半导体层形成在所述第一电极、所述第二电极和所述数据线的上方；在形成所述第一图形的衬底基板上沉积半导体薄膜和栅绝缘层薄膜，通过第二次构图工艺后沉积透明导电薄膜，采用剥离技术形成包括半导体层、栅绝缘层、像素电极和数据线接口的第二图形，其中所述像素电极与所述第二电极连接，所述数据线接口与所述数据线连接；在形成所述第一图形和所述第二图形的衬底基板上...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：常有军，刘还平，
申请(专利权)人：北京京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：11