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本发明公开了一种阵列基板及其制造方法,其中阵列基板包括:衬底基板以及形成在衬底基板上的数据线、第一电极、第二电极、沟道、掺杂半导体层、半导体层、栅绝缘层、像素电极、数据线接口、栅电极和栅线;数据线与第一电极连接,沟道位于第一电极和第二电极之...该专利属于北京京东方光电科技有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过北京京东方光电科技有限公司授权不得商用。
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本发明公开了一种阵列基板及其制造方法,其中阵列基板包括:衬底基板以及形成在衬底基板上的数据线、第一电极、第二电极、沟道、掺杂半导体层、半导体层、栅绝缘层、像素电极、数据线接口、栅电极和栅线;数据线与第一电极连接,沟道位于第一电极和第二电极之...