液晶显示基板及其制造方法和液晶显示器技术

本发明专利技术公开了一种液晶显示基板及其制造方法和液晶显示器。该方法中至少包括：在待刻蚀薄膜上形成树脂材料层；在树脂材料层中形成第一过孔和第二过孔，第二过孔边缘之间的最短距离大于第一过孔边缘之间的最短距离；进行加热处理以使树脂材料层塌陷，从而使第一过孔的底面边缘向内延伸相连后遮盖第一过孔的底面，且使第二过孔的底面边缘向内延伸并保持间距；对透过第二过孔露出的材料进行刻蚀。本发明专利技术利用树脂材料高温塌陷变形的特性，使较小的过孔在塌陷变形时堵塞，而较大过孔保留一定的孔径，在较大过孔下材料被刻蚀时，较小过孔会由于堵塞而保护下面的材料来避免过刻。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及液晶显示技术，尤其涉及一种液晶显示基板及其制造方法和液晶显示O
技术介绍
薄膜晶体管液晶显示器(ThinFilm Transistor-Liquid CrystalDisplay，简称 TFT-IXD)是目前常见的平板显示器，TFT-IXD的主要部件是液晶面板，液晶面板由两块液晶显示基板对盒而成，即通常所称的彩膜基板和阵列基板。TFT-IXD的阵列基板上形成有矩阵形式排列的电路图案，阵列基板结构通常包括像素区域和像素区域之外的接口(PAD)区域。像素区域是在衬底基板上形成横纵交叉的栅线和数据线，围设形成矩阵形式的像素单元，每个像素单元中设有TFT开关和像素电极。 TFT开关的源电极连接数据线，漏电极连接像素电极，栅电极连接栅线，在源电极和漏电极与栅电极之间设置有源层。接口区域中是将栅线和数据线延长引出，以便与驱动线路连接。上述像素区域和接口区域中的导电图案之间以绝缘层保持绝缘隔离，为实现以绝缘层间隔的导电图案的电连接，一般在绝缘层中形成过孔。典型的一种阵列基板结构是栅线上覆盖有栅绝缘层；有源层、数据线、源电极和漏电极形成在栅绝缘层上，且覆盖在钝化层之下；漏电极上方的钝化层中形成漏电极过孔，以便像素电极通过漏电极过孔与漏电极电连接；在接口区域中的栅线和数据线上方分别形成栅接口过孔和数据接口过孔，以便将栅线和数据线露出来连接驱动线路。在进行本专利技术的研究过程中，专利技术人发现上述结构存在如下缺陷在采用掩膜光刻工艺来刻蚀各过孔时，漏电极过孔和数据接口过孔是刻蚀钝化层而形成，栅接口过孔是刻蚀钝化层和栅绝缘层而形成，因此，在刻蚀完成钝化层中的各过孔后，还需要另行对栅绝缘层中的过孔进行刻蚀。但是，在刻蚀栅绝缘层中过孔时，漏电极过孔和数据接口过孔实际上已经刻蚀完成而露出数据线和漏电极，进行栅绝缘层刻蚀时会发生对数据线和漏电极的过刻现象。即数据接口过孔和漏电极过孔刻蚀过刻比率较大，数据线和漏电极会刻蚀掉原有厚度的30% 50%，影响线电阻或产生不良，降低液晶显示器的质量。
技术实现思路
本专利技术提供一种液晶显示基板及其制造方法和液晶显示器，以避免在液晶显示基板刻蚀过孔下材料时发生的过刻现象，提高液晶显示器的质量。本专利技术实施例提供一种液晶显示基板的制造方法，包括在衬底基板上形成导电图案和绝缘层的流程，其中，在衬底基板上形成导电图案和绝缘层流程中对待刻蚀薄膜进行过孔刻蚀的步骤中至少包括在所述待刻蚀薄膜上形成树脂材料层；在所述树脂材料层中形成第一过孔和第二过孔，所述第二过孔边缘之间的最短距离大于所述第一过孔边缘之间的最短距离； 进行加热处理以使所述树脂材料层塌陷，从而使所述第一过孔的底面边缘向内延伸相连后遮盖所述第一过孔的底面，且使所述第二过孔的底面边缘向内延伸并保持间距； 对透过所述第二过孔露出的材料进行刻蚀。本专利技术实施例还提供了一种液晶显示基板，包括衬底基板，所述衬底基板上形成有导电图案和绝缘层，其中，还包括第一过孔和第二过孔，形成在树脂材料层中，所述第二过孔边缘之间的最短距离大于所述第一过孔边缘之间的最短距离，且所述第二过孔的底面边缘向内延伸并保持间距。本专利技术实施例还提供了一种液晶显示器，其中包括本专利技术所提供的液晶显示基板。本专利技术提供的液晶显示基板及其制造方法和液晶显示器，利用了树脂材料高温塌陷变形的特性，使较小的过孔在塌陷变形时堵塞，而较大过孔保留一定的孔径，在较大过孔下材料被刻蚀时，较小过孔会由于堵塞而保护下面的材料不发生过刻，从而能够避免过刻损伤的出现，提高液晶显示器的质量。附图说明图1为本专利技术实施例一提供的液晶显示基板的制造方法的局部流程图；图2A为加热前树脂层形状的结构示意图；图2B为加热后树脂层形状的结构示意图；图3A为形成有过孔的树脂层在加热前的形状示意图；图;3B为形成有过孔的树脂层在加热后的形状示意图；图4为本专利技术实施例二提供的液晶显示基板的制造方法流程图；图5A为本专利技术实施例二所制备阵列基板的局部俯视结构示意图一；图5B为图5A中的A-A向剖视结构示意图；图6A为本专利技术实施例二所制备阵列基板的局部俯视结构示意图二 ；图6B为图6A中的A-A向剖视结构示意图；图7A为本专利技术实施例二所制备阵列基板的局部俯视结构示意图三；图7B为图7A中的A-A向剖视结构示意图；图8A为本专利技术实施例二所制备阵列基板中第一过孔处的放大结构示意图；图8B为本专利技术实施例二所制备阵列基板中第二过孔处的放大结构示意图；图9为本专利技术实施例二所制备阵列基板的局部侧视结构示意图四；图IOA为本专利技术实施例二所制备阵列基板的局部俯视结构示意图五；图IOB为图IOA中的A-A向剖视结构示意图；图11为本专利技术实施例三提供的液晶显示基板的制造方法流程图；图12A 12D分别为本专利技术实施例三所制备液晶显示基板的剖视结构示意图；图13为本专利技术实施例四提供的液晶显示基板的制造方法流程图；图14A 14C分别为本专利技术实施例四所制备液晶显示基板的剖视结构示意图。附图标记I-衬底基板；2-栅线；3-栅电极；4-栅绝缘层；62-掺杂半导体层；9-钝化层；12-第三过孔；40-接口区域；5-数据线；61-半导体层；7-源电极；8-漏电极； 10-第一过孔；11-第二过孔; 13-像素电极；30-像素区域; 50-光刻胶层。具体实施例方式为使本专利技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。本专利技术实施例提供了一种液晶显示基板的制造方法，包括在衬底基板上形成导电图案和绝缘层的流程，其中，在衬底基板上形成导电图案和绝缘层流程中对待刻蚀薄膜进行过孔刻蚀的步骤中至少包括在待刻蚀薄膜上形成树脂材料层；在树脂材料层中形成第一过孔和第二过孔，第二过孔边缘之间的最短距离大于第一过孔边缘之间的最短距离；进行加热处理以使树脂材料层塌陷，从而使第一过孔的底面边缘向内延伸相连后遮盖第一过孔的底面，且使第二过孔的底面边缘向内延伸并保持间距；对透过第二过孔露出的材料进行刻蚀。本专利技术实施例所提供的技术方案，利用了树脂材料在高温下会塌陷变形的特点。 在形成孔径不同的两类过孔后，利用树脂材料的变形来暂时封堵孔径较小的一类过孔，从而实现了两类过孔下材料的分别刻蚀，避免了对暂时封堵过孔下材料的过刻。树脂材料层可以为液晶显示基板上的已有绝缘层，最终保留在基板上，或者也可以是在刻蚀过程中临时采用的，例如光刻胶层，最终需要将该树脂材料层去除。下面通过实施例分别进行说明。实施例一图1为本专利技术实施例一提供的液晶显示基板的制造方法的局部流程图，该制造方法包括在衬底基板上形成导电图案和绝缘层的流程，其中，形成绝缘层的流程至少包括如下步骤步骤110、在树脂材料层中形成第一过孔和第二过孔，第二过孔边缘之间的最短距离大于第一过孔边缘之间的最短距离；步骤120、进行加热处理以使树脂材料层塌陷，从而使第一过孔的底面边缘向内延伸相连后遮盖第一过孔的底面，且使第二过孔的底面边缘向内延伸并保持间距；步骤130、对透过第二过孔露出的材料进行刻蚀；步骤140、对树脂材料层本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种液晶显示基板的制造方法，包括在衬底基板上形成导电图案和绝缘层的流程，其特征在于，在衬底基板上形成导电图案和绝缘层流程中对待刻蚀薄膜进行过孔刻蚀的步骤中至少包括：在所述待刻蚀薄膜上形成树脂材料层；在所述树脂材料层中形成第一过孔和第二过孔，所述第二过孔边缘之间的最短距离大于所述第一过孔边缘之间的最短距离；进行加热处理以使所述树脂材料层塌陷，从而使所述第一过孔的底面边缘向内延伸相连后遮盖所述第一过孔的底面，且使所述第二过孔的底面边缘向内延伸并保持间距；对透过所述第二过孔露出的材料进行刻蚀。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：谢振宇，周伟峰，
申请(专利权)人：北京京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：11