液晶显示器及其制造方法技术

公开了液晶显示器及其制造方法。在一个方面中，液晶显示器包括第一基板、面向第一基板的第二基板、以及插入第一基板和第二基板之间的液晶层。第一基板包括第一绝缘基板；形成在第一绝缘基板上方并且包括漏电极的薄膜晶体管(TFT)；以及绝缘层，覆盖TFT并且包括具有不同高度的上部和下部，其中，绝缘层具有通过下部形成从而曝露漏电极的开口。第一基板也包括形成在绝缘层上方的参考电极；覆盖参考电极的层间绝缘层；以及形成在层间绝缘层上方并且通过开口电连接至漏电极的像素电极。

【技术实现步骤摘要】
【专利说明】相关申请的交叉引用本专利申请要求于2014年5月28日提交的韩国专利申请第10-2014-0064577号的优先权，通过引用将其全部内容结合在此。
所描述的技术主要涉及。
技术介绍
液晶显示器(IXD)使用液晶层显示图像。IXD根据其驱动机制被分为面内切换(IPS)模式、垂直配向(VA)模式和面至线切换(PLS)模式。IXD使用水平或垂直电场驱动液晶层以显示图像。具体地，液晶层的形成在电极上方的液晶分子在PLS模式下由于强边缘电场而基本上平行于LCD的基板而旋转。
技术实现思路
一个专利技术方面是液晶显示器，该液晶显示器能够克服在应用于制造高分辨率显示面板的处理中的技术限制。另一个方面是一种制造液晶显示器的方法。另一个方面是一种液晶显示器，该液晶显示器包括第一基板、面向第一基板的第二基板、以及插入在第一基板和第二基板之间的液晶层。第一基板包括:第一绝缘基板；形成在第一绝缘基板上的薄膜晶体管；绝缘层，覆盖薄膜晶体管，包括上部和在距离第一绝缘基板的高度上不同于上部的下部，并且包括通过下部的一部分形成以暴露薄膜晶体管的漏电极的开口部；参考电极，形成在绝缘层上；层间绝缘层，覆盖参考电极；以及像素电极，形成在层间绝缘层上以通过开口部电连接至漏电极。另一个方面是一种制造液晶显示器的方法，所述液晶显示器包括第一基板、面向第一基板的第二基板、插入在第一基板和第二基板之间的液晶层，所述方法包括形成第一基板。通过以下形成第一基板:在第一绝缘基板上形成薄膜晶体管；形成有机绝缘图案，该有机绝缘图案覆盖薄膜晶体管并且包括上部和在距离第一绝缘基板的高度上不同于上部的下部，该下部至少形成在薄膜晶体管的漏电极上；在有机绝缘图案上形成参考电极；使用参考电极作为掩模蚀刻有机绝缘图案以形成包括贯通形成以暴露漏电极的开口部的绝缘层；形成层间绝缘层以覆盖参考电极；以及在层间绝缘层上形成像素电极，使得像素电极通过开口部电连接至漏电极。另一个方面是一种液晶显示器(IXD)，该液晶显示器包括第一基板、面向第一基板的第二基板、以及插入在第一基板和第二基板之间的液晶层。第一基板包括第一绝缘基板；薄膜晶体管(TFT)，形成在第一绝缘基板上方并且包括漏电极；以及绝缘层，覆盖TFT并且包括具有不同高度的上部和下部，其中，绝缘层具有通过下部形成从而曝露漏电极的开口。第一基板还包括形成在绝缘层上方的参考电极；覆盖参考电极的层间绝缘层；以及形成在层间绝缘层上方并且通过开口电连接至漏电极的像素电极。在以上IXD中，参考电极进一步形成在上部和下部上方。在以上IXD中，参考电极曝露漏电极的至少一部分。以上IXD进一步包括保护层，形成在绝缘层下方从而覆盖TFT，其中，保护层包括贯通形成的第一接触孔从而曝露漏电极的至少一部分。在以上IXD中，层间绝缘层基本上覆盖参考电极并且具有贯通形成从而曝露漏电极的一部分的第二接触孔。在以上LCD中，在第二接触孔进一步形成在开口中。在以上LCD中，第二接触孔的宽度小于开口的宽度。在以上LCD中，第一接触孔具有与第二接触孔的宽度对应的宽度。在以上LCD中，第一接触孔的宽度与开口的宽度对应。在以上IXD中，像素电极通过第一接触孔和第二接触孔直接接触漏电极。在以上IXD中，第一基板进一步包括滤色层，包括多个彩色像素；以及黑色矩阵，形成在彩色像素之间，其中，当在平面图中观察时，下部和开口形成在黑色矩阵形成的区域中。在以上IXD中，第二基板进一步包括第二绝缘基板，面向第一绝缘基板并且连接到第一绝缘基板；滤色层，形成在第二绝缘基板上方并且包括多个彩色像素；以及黑色矩阵，形成在彩色像素之间，其中，当在平面图中观察时，下部和开口形成在黑色矩阵形成的区域中。另一个方面是一种制造液晶显示器(IXD)的方法，所述液晶显示器包括第一基板、面向第一基板的第二基板、以及插入在第一基板和第二基板之间的液晶层。所述方法包括形成第一基板，所述形成第一基板包括在第一绝缘基板上形成包括漏电极的薄膜晶体管(TFT);形成有机绝缘图案，该有机绝缘图案i)覆盖TFT并且ii)包括具有不同高度的上部和下部，其中，下部至少形成在漏电极上方；在有机绝缘图案上方形成参考电极；以及使用参考电极作为掩模蚀刻有机绝缘图案从而形成具有贯通形成的开口的绝缘层，其中，开口曝露漏电极。形成第一基板进一步包括形成层间绝缘层从而覆盖参考电极；以及在层间绝缘层上方形成像素电极，使得像素电极通过开口部电连接至漏电极。以上方法进一步包括在形成TFT之后形成覆盖TFT的第一无机绝缘层。在以上方法中，形成有机绝缘图案包括在第一无机绝缘层上方形成感光有机绝缘层、以及使用半色调掩模通过曝光处理图案化感光有机绝缘层，从而形成包括上部和下部的有机绝缘图案。在以上方法中，形成层间绝缘层包括在参考电极和有机绝缘图案上方形成第二无机绝缘层；在第二无机绝缘层上形成具有贯通形成的开孔的感光图案；以及使用感光图案作为掩模蚀刻第一无机绝缘层和第二无机绝缘层，从而分别通过第一无机绝缘层和第二无机绝缘层形成第一接触孔和第二接触孔，其中，第一接触孔和第二接触孔曝露漏电极的至少一部分。在以上方法中，蚀刻第一无机绝缘层从而形成具有贯通形成的第一接触孔的保护层，其中，当使用参考电极作为掩模蚀刻有机绝缘图案时，第一接触孔与开口对应。在以上方法中，形成层间绝缘层包括在参考电极和有机绝缘图案上方形成第二无机绝缘层；在第二无机绝缘层上形成具有贯通形成的开孔的感光图案；以及使用感光图案作为掩模蚀刻第二无机绝缘层，从而通过第二无机绝缘层形成第二接触孔，使得通过第二接触孔曝露漏电极的至少一部分。在以上方法中，第二接触孔形成在开口中。在以上方法中，第二接触孔的宽度小于开口的宽度。根据所公开的实施方式的至少一个，绝缘层包括在薄膜晶体管所形成的区域中具有相对小厚度的下部，并且因此能够降低用于形成通过层间绝缘层的接触孔的感光层的厚度，通过该接触孔曝露漏电极。因此，能够精确地形成微接触孔，并且能够降低曝光处理的难度。【附图说明】图1是示出了根据示例性实施方式的液晶显示器的框图。图2是示出了在图1中示出的像素的等效电路图。图3是示出了在图2中示出的液晶显示面板的平面图。图4是沿着在图3中示出的线H-H’截取的截面图。图5是示出了在图4中示出的有机绝缘层的平面图。图6A至图6H是示出了在图4中示出的第一基板的制造方法的截面图。图7是示出了根据另一示例性实施方式的液晶显示面板的截面图。图8A至图8F是示出了在图7中示出的第一基板的制造方法的截面图。【具体实施方式】应当理解的是，当元件或层被称为在另一元件或层上、“连接至”或“耦接至”另一元件或层时，其可以直接在另一元件或层上、直接连接或耦接至另一元件或层，或者可存在中间元件或层。相反，当提到一个元件直接在另一元件或层上、“直接连接至”或“直接耦接至”另一元件或层时，则不存在介入元件或层。在全文中，相同的数字表示相同的元件。如在本文中使用的，术语“和/或”包括一个或多个所列出的相关条目的任何和所有组合。应当理解的是，尽管本文中可使用“第一”、“第二”等术语来描述各种元件、部件、区域、层和/或部分，然而，这些元件、部件、区域、层和/或部分不应被这些术语限制。这些术语仅用于将一个元件、部件、区域、层或者部分与另本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种液晶显示器，包括：第一基板；第二基板，面向所述第一基板；以及液晶层，插入所述第一基板与所述第二基板之间，其中，所述第一基板包括：第一绝缘基板；薄膜晶体管，设置在所述第一绝缘基板上并且包括漏电极；绝缘层，覆盖所述薄膜晶体管并且包括具有不同高度的上部和下部，其中，所述绝缘层具有通过所述下部形成从而曝露所述漏电极的开口；参考电极，设置在所述绝缘层上；层间绝缘层，覆盖所述参考电极；以及像素电极，设置在所述层间绝缘层上并且通过所述开口电连接至所述漏电极。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：朴廷敏，金智贤，朴成均，李政洙，田俊，曹基铉，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR