显示装置的阵列基板制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种通过降低接触电阻并消除底切而显示出提高了的显示质量的LCD显示装置的基板。显示开关器件具有三个电极，它们中的至少一个具有三个金属层，第三金属层通过氮化第二金属层而形成。像素电极通过接触孔与第二金属层电连接，接触孔穿过绝缘层与开关器件的第二金属层而形成。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及阵列基板，制造阵列基板的方法和具有该阵列基板的显示装置。更具 体地，本专利技术涉及具有改良显示质量的阵列基板，制造具有改良显示质量的阵列基板的方 法，和具有改良显示质量的阵列基板的显示装置。
技术介绍
通常，液晶显示(LCD)装置包含阵列基板、与阵列基板相对的滤色器基板、和夹 置在阵列基板和滤色器基板之间的液晶层。阵列基板具有多个像素，每个像素包含提供栅 信号的栅线、提供数据信号的数据线、与栅线及数据线电连接的薄膜晶体管(TFT)、以及接 收数据信号并向液晶层施加电压的像素电极。每个TFT电极、栅线及数据线均有双层结构， 来减少与像素电极的接触电阻以及线电阻。第一层包含铝钕，第二层包含层叠在第一层上 的铬。当对第一及第二层构图以形成电极时，栅线与数据线会受到底切(undercut)现象的 影响，这意味着第一层将比第二层蚀刻地更深。在这种底切现象出现的区域上会聚集电子， 从而在这些区域内会出现局部电荷俘获效应。因此，形成在第二层上的绝缘层的电容增加， 由此会改变像素电压及其亮度。
技术实现思路
依照本专利技术，阵列基板具有三层结构，包括铝钕、铬及氮化铬，这种结构防止了在 对电极、栅线与数据线构图过程中的底切，因此消除了不希望的对层的蚀刻，而且减少了层 与像素电极之间的接触电阻。附图说明本专利技术的上述及其他的特点与优点将通过对具体实施方式的详细描述并参考附 图变得更为明显，其中图1为说明依照本专利技术的一个具体实施方式的LCD面板的横截面图；图2为说明如图1所示的阵列基板的平面图；图3为说明如图1所示的栅极的横截面图；图4A至4H为说明形成如图2所示的阵列基板的各步骤的横截面图；图5为说明形成如图4B所示的第三金属层的反应溅射装置的横截面图；图6为说明形成如图4B所示的第三金属层的PCVD装置的横截面图；图7A至7G为说明形成如图1所示的阵列基板的各步骤的横截面图；图8为说明蚀刻如图7C所示的第一、第二金属及第三金属层的蚀刻池的横截面 图；以及图9为说明具有依照本专利技术的具体实施方式的LCD面板的LCD装置的分解透视图。具体实施例方式可以理解，当一个元件或层被称为在另一个元件或层“之上”、“与其相连接”或“与 其相耦合”时，它可以直接地在该另一个元件或层之上、与其相连接或与其相耦合，也可以 存在着中间的元件或层。不同的是，当一个元件被提及“直接地”在另一个元件或层“之上”、 “直接与其相连接”或“直接与其相耦合”时，就不存在中间的元件或层。在全文中，相似的 数字指的是相似的元件。空间相对的术语指的是包含装置在使用或操作时除附图中描述的 取向之外的不同取向。附图中说明的区域实际上是示意性的，它们的形状并不是要说明装 置的区域的实际形状，也不是用来限定本专利技术的范围。参考图1及图2，IXD面板100包含阵列基板200、滤色器基板300及形成在阵列 基板200与滤色器基板300之间的液晶层400，IXD面板100显示图像。IXD面板100包含 显示图像的显示区域DA、位于围绕显示区域DA的IXD面板第一部分的第一外围区域PA1， 以及位于围绕显示区域DA的IXD面板第二部分的第二外围区域PA2。IXD面板在显示区域 DA周围的第一部分是沿着LCD面板第一侧的部分，LCD面板在显示区域DA周围的第二部分 是沿着基本与LCD面板的第一侧垂直的LCD面板第二侧的部分。在显示区域DA中，沿着第 一方向Dl的多条栅线GL以及沿着基本与第一方向Dl相垂直的第二方向D2的多条数据线 DL确定了多个像素区。阵列基板200包含薄膜晶体管(TFT) 220、保护层230、有机绝缘层MO以及像素电 极250，所有这些都形成在第一绝缘基板210上。TFT 220以及像素电极250形成在显示区 域DA中设置的像素区中。TFT 220包括从栅线GL分叉而来的栅极221、从数据线DL分叉 而来的源极225以及与像素电极250电连接的漏极226。另外，TFT 220包括形成在栅极 221上的栅绝缘层223以及有源层224。每个栅极221、源极225以及漏极2 都具有三层 的结构。特别地，栅极221具有第一栅极层221a、层叠在第一栅极层221a上的第二栅极层 221b以及层叠在第二栅极层221b上的第三栅极层221c。第一栅极层221a可以包括铝钕 (AINd)，第二栅极层221b可以包括铬(Cr)，第三栅极层221c可以包括氮化铬(CrNx)，氮化 铬是从第二栅极层221b包含的铬(Cr)硝化获得的。源极225具有第一源极层22 、层叠在第一源极层225a上的第二源极层22 ，以 及层叠在第二源极层22 上的第三源极层225c。第一源极层22 可以包括铝钕(AlNd)， 第二源极层22 可以包括铬(Cr)，第三源极层225c可以包括从第二源极层22 包括的铬 (Cr)硝化获得的氮化铬(CrNx)。漏极2 具有第一漏极层2^a、层叠在第一漏极层226a上的第二漏极层226b以 及层叠在第二漏极层226b上的第三漏极层226c。第一漏极层226a可以包括铝钕(AlNd)， 第二漏极层226b可以包括铬(Cr)，以及第三漏极层226c可以包括从第二漏极层226b包括 的铬(Cr)硝化获得的氮化铬(CrNx)。每个栅极221、源极225以及漏极2 都具有沿着与 第一绝缘基板210相垂直的切割线呈锥形的横截面。即，栅极221、源极225与漏极2 都 不具有底切形的横截面。参考图3，栅极221沿着与第一绝缘基板210相垂直的切割线的横截面具有比上部相对较宽的下部。因而，栅极221具有锥形的横截面。类似地，源极225与漏极225均具 有锥形的横截面。栅极221的第一栅极层221a、源极225的第一源极层22 以及漏极2 的第一漏极层226a均包括铝钕(AlNd)，从而在栅极221、源极225以及漏极2 上不会发 生底切现象，正如下文所详细解释的。因此，电子不会聚集在底切现象发生的部分，即不会 出现局部电荷俘获，从而形成在栅极221上的绝缘层的电容不会增加。因而，不会出现由于 绝缘层电容的增加而发生像素电压的改变，从而可以避免例如由于亮度改变而出现侧向条 纹这类显示故障。栅绝缘层223形成在形成有栅极221的第一绝缘基板210上。栅绝缘层223，例 如，包括氮化硅(SiNx)。有源层2M形成在栅绝缘层223上。有源层2M包括半导体膜 224a以及层叠在半导体膜22 上的欧姆接触膜22恥。例如，半导体膜22 可以包括非晶 硅(a-Si)，欧姆接触膜224b包括重掺杂有N型杂质(n+a-Si)的非晶硅。欧姆接触膜224b 从第一绝缘基板210上部分地移除，从而部分地暴露出半导体膜22如。保护层230和有机绝缘层240顺序形成在形成有TFT 220的第一绝缘基板210上。 另外，保护层230与有机绝缘层240均形成在整个显示区域DA、第一及第二外围区域PAl与 PA2上。保护层230与有机绝缘层M0，例如，可以包括氮化硅。此外，保护层230和有机绝 缘层240具有部分地暴露出漏极226的接触孔M5。保护层230与有机绝缘层240从第一绝缘基板210上部分地移除，以暴露漏极 226。当保护层230与有机绝缘层240被移除时，漏极226的第三漏极层226c被用本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种形成阵列基板的方法，包含：在基板上使用铝合金形成第一金属层；在第一金属层上使用铬形成第二金属层；使用混合蚀刻溶液蚀刻第一与第二金属层，其中混合蚀刻溶液包括用来蚀刻第一金属层的第一蚀刻溶液以及用来蚀刻第二金属层的第二蚀刻溶液；以及使用第三蚀刻溶液蚀刻第二金属层，第二金属层在使用混合蚀刻溶液蚀刻后仍存在。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：李仁成，赵能镐，李东勋，崔渊琇，崔浩根，崔填喆，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：KR