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一种具有肖特基二极管的沟槽式功率半导体结构及其制造方法，所述方法包括下列步骤：a)形成一漏极区于一基板内；b)形成至少二个栅极结构于漏极区的上方，并且，形成一本体与至少一源极区于相邻二个栅极结构之间；c)形成一第一介电结构覆盖栅极结构；d)...
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