具有肖特基二极管的功率半导体结构及其制造方法技术

一种具有肖特基二极管(schottky?diode)的功率半导体结构及其制造方法；其制造方法步骤包括：在形成栅极多晶硅结构的步骤中，同时形成一第一多晶硅结构于硅基材上；随后，通过第一多晶硅结构植入掺杂物至硅基材内，以形成本体区与源极掺杂区；接下来，形成一介电层于硅基材上，并以蚀刻方式形成一开口对应于第一多晶硅结构，并使源极掺杂区与本体区下方的漏极区裸露于外；开口的深度小于本体区的最大深度；随后，于开口内填入一金属层以电性连接至源极掺杂区与漏极区。本发明专利技术提出的制造方法具有低成本与高可行性的优点，有助于降低制造成本。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种沟槽式功率半导体结构及其制造方法，特别是关于一种具有肖特基二极管(Schottky Diode)的沟槽式半导体结构及其制造方法。
技术介绍
在沟槽式功率半导体的应用领域中，越来越注重切换速度的表现，此特性的改善提升能明显帮助高频电路操作中的切换损失。利用肖特基二极管来改善功率半导体元件的切换损失，是一个常见的解决方法。图1为利用肖特基二极管SDl改善金氧半晶体管Tl的切换损失的电路示意图。如图中所示，金氧半晶体管Tl的本体二极管(bodydiode)Dl并联于肖特基二极管SD1。由于肖特基二极管SDl的启动电压低于本体二极管D1。因此，当金氧半晶体管Tl的源漏极存在顺向偏压时，肖特基二极管SDl可避免本体二极管Dl被导通(turn on)。亦即，在此情况下，电流是由源极S经由肖特基二极管SDl流动至漏极D。值得注意的是，相较于本体二极管Dl由导通转变为不导通(turnoff)的过程中， 因为少数载子(minority carrier)存在而会造成时间延迟，肖特基二极管SDl不具有少数载子，因此，可以避免时间延迟，而有助于改善切换损失。专利技术内容因此，本专利技术的本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种具有一肖特基二极管的功率半导体结构的制造方法，其特征在于，包括：形成一多晶硅层于一硅基材的表面，该多晶硅层包括至少一栅极多晶硅结构与至少一第一多晶硅结构，该第一多晶硅结构与该栅极多晶硅结构间隔一默认距离；以该第一多晶硅结构为屏蔽，植入掺杂物至该硅基材内，以形成至少一个本体区与至少一个源极掺杂区，该本体区位于该栅极多晶硅结构与该第一多晶硅结构间，该源极掺杂区位于该本体区之内；形成一介电层覆盖该栅极多晶硅结构、该第一多晶硅结构与该硅基材的裸露表面；形成一开口对应于该第一多晶硅结构，该开口至少贯穿该介电层，该开口的深度小于该本体区的最大深度，并且，该开口裸露该本体区下方的该硅基材；以及于该开...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：许修文，叶俊莹，
申请(专利权)人：科轩微电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71