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具有肖特基二极管的功率半导体结构及其制造方法技术
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文档序号:6866455
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一种具有肖特基二极管(schottky?diode)的功率半导体结构及其制造方法;其制造方法步骤包括:在形成栅极多晶硅结构的步骤中,同时形成一第一多晶硅结构于硅基材上;随后,通过第一多晶硅结构植入掺杂物至硅基材内,以形成本体区与源极掺杂区;...
该专利属于科轩微电子股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过科轩微电子股份有限公司授权不得商用。
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