一种InP HBT器件侧墙的制备方法技术

本发明专利技术公开了一种InP?HBT器件侧墙的制备方法，属于半导体工艺技术领域。该方法包括在InGaAs盖帽层光刻，形成发射极金属生长区域；向InGaAs盖帽层上蒸发金属，形成金属层；将发射极金属生长区域之外的金属剥离；对InGaAs盖帽层进行腐蚀，使残留的InGaAs盖帽层与发射极金属层重合；对InP发射极层进行刻蚀，使残留的InP发射极层与残留的InGaAs盖帽层重合；从而，发射极金属层，残留的InGaAs盖帽层，以及，残留的InP发射极层堆迭后的侧壁形成发射极台面；在发射极台面侧面生长一层保护介质，并对保护介质进行刻蚀，从而形成发射极台面侧墙。该方法可以使自对准工艺突破晶向限制，实现在不同晶向条件下对InP?HBT器件的制备，保持自对准工艺的优点。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体工艺
，特别涉及一种hP HBT器件侧墙的制备方法。
技术介绍
在化？ HBT器件中，晶向对器件的直流电流增益和频率特性都有影响，在器件制备过程中，不同的晶向侧向腐蚀不同。传统的自对准工艺对侧向腐蚀有严格的要求，只有固定的晶相才能进行自对准工艺。但是，在高集成度电路中，要想实现电路的高性能和高集成度，就需要实现各种晶向器件的制备。
技术实现思路
为了解决上述问题，本专利技术提出了一种可以使自对准工艺突破晶相限制、实现在不同晶向对InPHBT器件的制备，并保持传统自对准工艺优点的InPHBT器件侧墙制备方法。本专利技术提供的hP HBT器件外延片的自下至上依次包括hP Substrate层、 InGaAs层、InP层、InGaAs层、InP发射极层和InGaAs盖帽层，其侧墙的制备方法包括以下步骤在所述InGaAs盖帽层光刻，形成发射极金属生长区域；向已经形成发射极金属生长区域的所述MGaAs盖帽层上蒸发金属，形成金属层；将已经形成金属层的所述InGaAs盖帽层上，处于所述发射极金属生长区域之外的金属剥离，形成发射极金属层；对已经形成发射极金属层的hP HBT本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种ＩｎＰ　ＨＢＴ器件侧墙的制备方法，所述ＩｎＰ　ＨＢＴ器件外延片的自下至上依次包括ＩｎＰ　Ｓｕｂｓｔｒａｔｅ层、ＩｎＧａＡｓ层、ＩｎＰ层、ＩｎＧａＡｓ层、ＩｎＰ发射极层和ＩｎＧａＡｓ盖帽层，其特征在于，包括以下步骤：在所述ＩｎＧａＡｓ盖帽层光刻，形成发射极金属生长区域；向已经形成发射极金属生长区域的所述ＩｎＧａＡｓ盖帽层上蒸发金属，形成金属层；将已经形成金属层的所述ＩｎＧａＡｓ盖帽层上，处于所述发射极金属生长区域之外的金属剥离，形成发射极金属层；对已经形成发射极金属层的ＩｎＰ　ＨＢＴ器件外延片的ＩｎＧａＡｓ盖帽层进行腐蚀，使残留的ＩｎＧａＡｓ盖帽层与所述发射极金属层重合；对已经腐蚀完Ｉｎ...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：郭建楠，金智，苏永波，王显泰，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：11