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本发明公开了一种InP?HBT器件侧墙的制备方法，属于半导体工艺技术领域。该方法包括在InGaAs盖帽层光刻，形成发射极金属生长区域；向InGaAs盖帽层上蒸发金属，形成金属层；将发射极金属生长区域之外的金属剥离；对InGaAs盖帽层进行腐...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。

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