一种功率器件背面热退火时对正面金属图形的保护方法技术

一种功率器件背面热退火时对正面金属图形的保护方法，属于半导体功率器件技术领域。本发明专利技术在完成功率器件正面制作工艺之后，先在功率器件正面金属图形表面涂覆一层有机硅树脂，有机硅树脂经预热固化之后，再进行功率器件背面制作工艺，待背面工艺完成之后将功率器件置于能够溶解有机硅树脂的有机溶剂中去除有机硅树脂。本发明专利技术由于在背面热退火之前，在器件正面金属图形表面涂覆并固化了一层耐高温的有机硅树脂，使得在对器件进行背面热退火时，可采用较高的退火温度和较长的退火时间来充分激活背部P区或N区的杂质离子的同时而器件正面金属图形不会遭到破坏。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于半导体功率器件
，涉及功率器件的制造工艺，尤其是器件背面热退火时对正面金属图形的保护方法。
技术介绍
功率半导体技术是电力电子技术的核心，随着微电子技术的发展，以栅控功率器件与智能功率集成电路为代表的现代功率半导体技术从20世纪80年代得到了迅速发展， 进而极大地推动了电力电子技术的进步。而电力电子技术的不断进步反过来又促使功率半导体技术向高频、高温、高压、大功率及智能化、系统化方向发展。功率半导体器件经过了 40 多年的发展，在器件制造技术上不断提高，已经历了以晶闸管为代表的分立器件，以可关断晶闸管(GT0)、巨型晶体管(GTR)、功率MOSFET和绝缘栅双极晶体管(IGBT)为代表的功率集成器件(PID)，以智能化功率集成电路(SSPIC)、高压功率集成电路(HVIC)为代表的功率集成电路(SPIC)等三个发展时期。目前应用中压大功率的电力电子器件已经形成GTO、IGCT, IGBT, IEGT相互竞争不断创新的技术市场。通过功率器件的制作过程可以实现器件结构变革和参数优化，这些器件都有PNPN四层结构，以IGBT为例，除最初开发的PT-IGBT是在P+衬底本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种功率器件背面热退火时对正面金属图形的保护方法，在完成功率器件正面制作工艺之后，先在功率器件正面金属图形表面涂覆一层有机硅树脂，有机硅树脂经预热固化之后，再进行功率器件背面制作工艺，待背面工艺完成之后将功率器件置于能够溶解有机硅树脂的有机溶剂中去除有机硅树脂。

【技术特征摘要】
1.一种功率器件背面热退火时对正面金属图形的保护方法，在完成功率器件正面制作工艺之后，先在功率器件正面金属图形表面涂覆一层有机硅树脂，有机硅树脂经预热固化之后，再进行功率器件背面制作工艺，待背面工艺完成之后将功率器件置于能够溶解有机硅树脂的有机溶剂中去除有机硅树脂。2.根据权利要求1所述的功率器件背面热退火时对正面金属图形的保护方法，其特征是，所述功率器件背面制作工艺包括背面减薄、背面杂质离子注入、背面杂质离子高温热退火和淀积背面金属步骤。3.根据权利要求2所述的功率器件背面热退火时对正面金属图形的保护方法，其特征是，所述背面杂质离子...

【专利技术属性】
技术研发人员：李泽宏，张超，杨文韬，单亚东，肖璇，吴宽，
申请(专利权)人：电子科技大学，
类型：发明
国别省市：90