用于提供纳米级、高度选择性和热弹性碳蚀刻终止的系统和方法技术方案

本发明专利技术揭示用于形成蚀刻终止层的方法和由所述方法制造的所得结构。所述蚀刻终止层具有：硅锗层，其具有约５０∶１或小于５０∶１的硅锗比；硼层，其形成在所述硅锗层内，其中所述硼层具有小于５０纳米的半高全宽（ＦＷＨＭ）厚度值；以及碳层，其形成在所述硅锗层内，其中所述碳层具有小于５０纳米的ＦＷＨＭ厚度值。在所述蚀刻终止层中，硼碳比在约０．５到１．５的范围内。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术大体上涉及集成电路(IC)的制造方法。更特定来说，本专利技术是IC中的高度选择性碳蚀刻终止的制造方法，其中所述蚀刻终止即使在经受高温时也几乎不扩散到 周围半导体层内。背景技水己出现若干种材料系统作为将摩尔定律(Moore's law)广泛推进未来十年的关键推 动因素。这些关键推动因素包括(1)绝缘体上硅(SOI); (2)硅锗(SiGe);以及(3) 应变硅。就SOI和相关技术来说，存在很多与绝缘衬底相关联的优点。这些优点包括寄 生电容减少、电隔离改进和短沟道效应减少。可将SOI的优点与由Si!-xGex和应变硅装 置所提供的能带隙和载流子迁移率改进组合。SOI衬底一般包括位于绝缘体上的硅薄层。集成电路组件形成在所述硅薄层中和上。 绝缘体可包含例如二氧化硅(Si02)、蓝宝石或其它各种绝缘材料的绝缘体。目前，可采用若干技术来制造SOI衬底。 一种用于制造SOI衬底的技术是植入氧分 离(SIMOX)技术。在SIMOX工艺中，将氧植入在硅晶片表面下方。随后的退火步骤 产生使用硅上覆层埋入的二氧化硅层。然而，由于SIMOX工艺中植入所需的时间很长， 且因此成本极高。而且，通本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种蚀刻终止层，其包含：　硅锗层，其具有约５０∶１或小于５０∶１的硅锗比；　硼层，其形成在所述硅锗层内，所述硼层具有小于５０纳米的半高全宽（ＦＷＨＭ）厚度值；以及　碳层，其形成在所述硅锗层内，所述碳层具有小于５０纳米的ＦＷ ＨＭ厚度值，所述蚀刻终止层具有在约０．５到１．５的范围内的硼碳比。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：达尔文G恩尼克斯，
申请(专利权)人：爱特梅尔公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]