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本发明揭示用于形成蚀刻终止层的方法和由所述方法制造的所得结构。所述蚀刻终止层具有：硅锗层，其具有约５０∶１或小于５０∶１的硅锗比；硼层，其形成在所述硅锗层内，其中所述硼层具有小于５０纳米的半高全宽（ＦＷＨＭ）厚度值；以及碳层，其形成在所述硅...
该专利属于爱特梅尔公司所有，仅供学习研究参考，未经过爱特梅尔公司授权不得商用。

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