ＳｉＧｅ异质结双极晶体管的制作方法技术

本发明专利技术公开了一种ＳｉＧｅ异质结双极晶体管的制作方法，该方法结合浅槽隔离工艺模块中的所用材料和工艺，形成将外基区提高的高Ｐ型掺杂的多晶硅，然后利用选择性外延工艺形成锗硅异质结双极晶体管区的内基区，最后利用介质膜作为发射极和外基区之间的隔离层，淀积发射极而形成具有抬高外基区，外基区与发射极之间是自对准的锗硅异质结双极晶体管。本发明专利技术简化了工艺步骤，减少了制作时间并降低了制造成本。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于半导体集成电路制造领域，尤其涉及一种SiGe(锗硅)异质结双极型 晶体管的制作方法。
技术介绍
由于SiGe HBT (SiGe异质结双极晶体管)具有高速、低噪音的要求，它在射频领域 有了越来越多的应用。业内人员在不断努力提高它的工作频率(提高使用速度)的同时，使 其在成本上有好的竞争能力，即努力使其性能达到GaAs (砷化镓)器件而成本较低(利用 CMOS工艺并与CMOS有良好的兼容性)。为了提高速度，将外基区位置抬高以减小基区-集 电区的电容，利用外基区与发射极的自对准而得到低的基区电阻已成为大家的共识。现有的器件结构如图1所示(美国专利申请US6，927，476)在STI (浅槽隔离)工 艺完成后，通过一系列工艺来得到自对准的器件结构，工艺过程复杂(STI工艺完成后到发 射极淀积前，共增加多于8次的膜成长工艺，二次光刻，二次CMP (化学机械研磨)，6次膜刻 蚀)；另一种结构如图2所示(美国专利申请US7，037，798)，也是在STI工艺完成后，开始 SiGe HBT的构建，从STI工艺完成后到发射极淀积前，共增加多于7次的膜成长工艺，二次 光刻，6次膜刻蚀)本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种ＳｉＧｅ异质结双极晶体管的制作方法，其特征在于，包含以下步骤：１）利用常规工艺完成Ｎ型集电极区域的形成，包括Ｎ＋埋层的形成和Ｎ外延的淀积，然后进行衬垫氧化膜，氮化硅膜成长；有源区光刻，刻蚀；隔离介质膜成长，完成浅槽隔离化学机械研磨；２）利用光刻和刻蚀工艺将外基区的氮化硅膜除掉并将该区域的隔离介质膜部分除掉，之后将光刻胶去除；３）淀积作为外基区的一层高Ｐ型掺杂的多晶硅；４）通过化学机械研磨将氮化硅膜和隔离介质膜表面的多晶硅去除；５）将隔离介质膜部分刻蚀掉至一定的高度；６）将氮化硅膜去除；７）先将衬垫氧化膜去掉，然后成长介质膜并通过光刻和刻蚀工艺将高Ｐ型掺杂的多晶硅之间的介质膜去除；或者，先成...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：肖胜安，
申请(专利权)人：上海华虹NEC电子有限公司，
类型：发明
国别省市：31