绝缘体上硅晶片的成形绝缘层及其制造方法技术

一种用于制造绝缘体上硅晶片（１０）的方法，包括以下步骤：（ａ）提供硅衬底（４）；（ｂ）在所述晶片（１０）中形成氧化物绝缘层（２），所述绝缘层（２）掩埋于所述硅衬底（４）中，将所述硅衬底（４）与顶部硅层（６）分离，并具有顶部表 面（８）和底部表面（１２）；（ｃ）增厚所述绝缘层（２）；（ｄ）形成所述绝缘层（２）的成形的顶部表面（８ａ、８ｂ、８ｃ、８ｄ、８ｅ）和成形的底部表面（１２ｅ）的至少一个；以及（ｅ）退火以进一步增厚并成形所述绝缘层（２） 。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术通常涉及绝缘体上硅晶片，更具体地说，涉及此类晶片的成形绝缘层。
技术介绍
电路的制造工艺包括通过具体的电路径连接隔离器件。因此，当制造硅集成电路(ICs)或芯片时，在硅中构建的器件必须相互隔离。可以在后面互连这些器件以形成所需的具体电路结构。由此，隔离技术是制造ICs的一个关键方面。已经开发了各种技术用于隔离ICs中的器件。一个原因是不同的IC类型具有不同的隔离需求。这些类型包括，例如，NMOS、CMOS、和双极类型。NMOS或负沟道金属氧化物半导体是一类具有负电荷的半导体，以使通过电子的移动来开启或关断晶体管。相反，PMOS(正沟道MOS)通过移动空穴工作。NMOS比PMOS快，但是造价也更高。CMOS或互补金属氧化物半导体同时使用NMOS(负极性)和PMOS(正极性)电路。因为在任何所给的时间，只有一种电路类型开启，所以CMOS芯片比只使用一类晶体管的芯片需要更低的功率。这使得CMOS芯片对在例如便携式计算机的电池供电的器件中使用尤其具有吸引力。个人计算机也包括少量电池供电的CMOS存储器，用于保持数据、时间、以及系统设置参数。双极晶体管是具有两个相邻pn结的电子器本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

【专利技术属性】
技术研发人员：L·古拉里，
申请(专利权)人：国际商业机器公司，
类型：发明
国别省市：