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一种用于制造绝缘体上硅晶片（１０）的方法，包括以下步骤：（ａ）提供硅衬底（４）；（ｂ）在所述晶片（１０）中形成氧化物绝缘层（２），所述绝缘层（２）掩埋于所述硅衬底（４）中，将所述硅衬底（４）与顶部硅层（６）分离，并具有顶部表 ...
该专利属于国际商业机器公司所有，仅供学习研究参考，未经过国际商业机器公司授权不得商用。

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