【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种对包括加热装置并用于对多层基板进行热处理的热处理设备进行校准的方法。本专利技术还涉及一种校准测试基板以及制造该校准测试基板的方法。
技术介绍
热处理设备通常用于在氢、氩或氧环境中对晶片进行热处理，以例如形成氧化层或使晶片表面平滑。为了在晶片上获得均匀的温度，需要对该设备进行校准。为此目的，在晶片下面放置多个温度传感器，晶片通常水平放置在炉腔内。这些传感器对晶片的局部温度进行测量，并连接至控制系统，该控制系统允许对提供至晶片的热量进行局部改变。对处理块状(bulk)硅晶片时的这种设备进行校准的常规方法包括，在对于所有探针将偏移量设为“0”的情况下采用快速热氧化以形成大约100的SiO2。然后测量晶片上的氧化物厚度分布，显示腔内的热非均匀性，因为实际上氧化物厚度取决于温度。此后，调节偏移量以校准温度非均匀性，并且重复该处理直到在晶片上形成具有平坦的或者均匀的厚度分布的氧化物层，并且该厚度分布对应于腔内的均匀温度。然而，这种对热处理设备的直接校准并不适用于多层类型的基板，例如，绝缘体上硅(SOI)晶片。美国专利US 6,853,802揭示了以下问...
【技术保护点】
一种对热处理设备（１）进行校准的方法，该热处理设备（１）包括加热装置（５）并且用于对多层基板（１５）进行热处理，该方法的特征在于包括以下步骤：ａ）提供与多层基板（１５）相比具有不同结构的测试基板（２５），ｂ）使用一组热处理参 数对所述测试基板（２５）进行热处理，由此在所述测试基板（２５）上形成具有厚度分布（３７）的层（２７），ｃ）将所述厚度分布（３７）与校准测试基板上的校准层的预定厚度分布（３５）进行比较，以及ｄ）对所述一组热处理参数进行修正，使 得所述加热装置（５）适于对所述厚度分布（３７）与所述预定厚度分布（３...
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：马琳布拉，
申请(专利权)人：硅绝缘体技术有限公司，
类型：发明
国别省市：FR[法国]
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