用于制造半导体器件的方法技术

提供了一种用于制造半导体器件的方法。该方法包括：通过进行蚀刻工艺在衬底上形成多个栅线；通过采用原子层沉积（ＡＬＤ）方法在栅线和衬底上形成氧化物层；以及在氧化物层上依次形成缓冲氧化物层和氮化物层。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及；尤其涉及用于制造能够防止接合塞(landing plug)接触的自对准接触(SAC)失效的半导体器件的方法。
技术介绍
在用于制造80nm级以下的接合塞接触(LPC)模块的工艺中出现的最大局限之一是，栅间隔物并不在器件收缩时相应地在厚度上有所减小，对LPC开口和填缝工艺造成了很大负担。当前，在80nm级器件中所需的单元间隔物氮化物层大多以从约280埃到约300埃范围的均匀厚度来形成。因此，实际上栅之间的间距持续减小。减小的间距可能造成接触孔内增大的纵横比；在形成层间电介质(ILD)的同时由于填缝余量的减少而引起空隙；以及在通过自对准接触(SAC)工艺来蚀刻LPC氧化物层的同时引起将不被打开的接触。另一方面，当半导体器件的大规模集成加速时，组成半导体器件的多种单元通常以堆叠的结构形成，于是引入接触塞(或垫)的概念。为了形成这样的接触塞，引入和通常使用LPC技术。LPC技术引入开口，其具有大于底部区域的上部区域，以向较大的接触区域提供底部区域的最小部分，以及用于上部区域上的后续工艺的较大工艺余量。而且，难以在这样的接触形成期间在具有高纵横比的结构之间蚀刻。这里引入SA本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于制造半导体器件的方法，包括：通过进行蚀刻工艺在衬底上形成多个栅线；通过采用原子层沉积（ＡＬＤ）方法在栅线和衬底上形成氧化物层；以及在氧化物层上依次形成缓冲氧化物层和氮化物层。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：南基元，李京远，
申请(专利权)人：海力士半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]