半导体器件及其制造方法技术

本发明专利技术提供一种半导体器件及其制造方法，其中该半导体器件包含具有导电氧化物上电极的电容器。铁电电容器形成在衬底上并由一叠层体制成，该叠层体由依次叠置的下电极、电容器铁电膜和上电极构成。上电极由导电氧化物制成，并且上电极的氧浓度分布为该上电极的上层区中的氧浓度低于其下层区中的氧浓度。层间绝缘膜覆盖铁电电容器。贯穿层间绝缘膜形成通孔，并且该通孔到达比上电极上表面深的位置。通孔停止的位置比上电极中氧浓度最大的位置浅。导电元件在通孔底部与上电极接触。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种，特别涉及包含铁电电容器的，该铁电电容器的上电极由导电氧化物制成。
技术介绍
铁电存储器作为非易失性存储器，即便在断电时也能保留所存储的数据，因而受到关注。铁电存储器由MOS晶体管和铁电电容器的组合制成，其中铁电电容器的介电膜由铁电材料制成。数据以铁电膜中自发极化的方向存储在铁电存储器中。参照图8A至8C，说明专利文献JP-A-2001-127262中公开的铁电电容器的制造方法。如图8A所示，在衬底100上形成层间绝缘膜，在层间绝缘膜的表面上形成铁电电容器，该铁电电容器由下电极101、电容器铁电膜102和上电极103构成。下电极101具有由从底部起依次叠置的Ti膜和Pt膜构成的双层结构。电容器铁电膜102由诸如(Pb，Zr)TiO3(以下以“PZT”表示)和(Pb，Zr)(Ti，La)O3(以下以“PLZT”表示)等铁电材料制成。上电极103由氧化铱制成，并且其下层区103A的氧浓度高于上层区103B。例如，通过以氧和氩混合气体的等离子体溅射Ir金属靶，形成具有双层结构的上电极103。在等离子体生成DC功率为1kW时，形成氧浓度相对较高的下层区103A，并在DC本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件，包括：铁电电容器，其形成于衬底上并包含一叠层体，该叠层体由依次叠置的下电极、电容器铁电膜和上电极构成，该上电极由导电氧化物制成，并且该上电极的氧浓度分布为该上电极上层区中的氧浓度低于其下层区中的氧浓度；层间绝 缘膜，其覆盖该铁电电容器；通孔，其贯穿该层间绝缘膜，并到达比该上电极的上表面深的位置，该通孔停止的位置比该上电极中氧浓度最大的位置浅；以及导电元件，其在该通孔底部与该上电极接触。

【技术特征摘要】
...

【专利技术属性】
技术研发人员：尾崎康孝，
申请(专利权)人：富士通微电子株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]