平面显示器的像素结构及其制造方法技术

本发明专利技术揭示一种平面显示器的像素结构，其包括：储存电容、薄膜晶体管以及数据线。储存电容设置于基板上，其包括下金属电极、上金属电极以及夹设于其间的电容介电层。薄膜晶体管设置基板上并电连接储存电容，其包括：有源层、栅极电极、以及夹设于其间的栅极介电层。数据线设置于基板上，其电连接薄膜晶体管且与基板绝缘。上金属电极与栅极电极由同一金属层所定义而成，且下金属电极与数据线由同一金属层所定义而成。本发明专利技术亦揭示一种平面显示器的像素结构制造方法。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种平面显示器(flat panel display，FPD)技术，特别是涉及一种用于低温多晶硅，以增加储存电容的电容值。
技术介绍
由于平面显示器，例如液晶显示器(LCD)，具有轻薄、省电等优点，目前已广泛应用于可携式个人电脑、数码相机、投影机等电子产品上。然而，在制造液晶显示器的像素结构过程中，常需使用多次的光刻步骤而使工艺复杂化并增加制造成本。图1A至1F为绘示出传统低温多晶硅液晶显示器的像素结构制造方法剖面示意图。请参照图1A，提供透明基板100，其具有晶体管区10及电容区20。接着，通过现有沉积、光刻及蚀刻步骤，在晶体管区10及电容区20的基板100上分别形成半导体层102及104，其中位于晶体管区10中的半导体层102作为后续的薄膜晶体管的有源层(active layer)或沟道层。接下来，请参照图1B，在基板100上形成绝缘层106且其覆盖半导体层102及104。其中位于晶体管区10中的绝缘层106作为栅极介电层。接着，在绝缘层106上形成金属层(未绘示)，并通过光刻及蚀刻技术以图案化金属层，而在半导体层102上形成栅极电极108且在半导体层104上形本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种平面显示器的像素结构，适于配置在基板上，包括：储存电容，设置于该基板上，其包括下金属电极、上金属电极以及夹设于其间的电容介电层；薄膜晶体管，设置该基板上并电连接该储存电容，其包括：有源层、栅极电极、以及夹设于其间的栅极介 电层；以及数据线，设置于该基板上，其电连接该薄膜晶体管且与该基板绝缘；其中该上金属电极与该栅极电极由同一金属层所定义而成，且该下金属电极与该数据线由同一金属层所定义而成。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：郑逸圣，
申请(专利权)人：友达光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]