本发明专利技术提供一种显示器的像素电路及其补偿方法，所述像素电路包括：多根栅极线；与所述多根栅极线相互交叉并绝缘的多根数据线；与所述多根栅极线相互交叉并绝缘的多根公共功率线；由所述多根栅极线、数据线以及公共功率线所围成的区域限定的多个像素单元；以及一根假栅极线，与所述多根栅极线同向，并与所述多根数据线以及所述多根公共功率线相互交叉并绝缘，其中，所述假栅极线上获取的偏移共电位用于对所述像素电路进行共电位补偿。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及显示器的像素电路，具体而言，涉及。
技术介绍
有机发光显示器具有自发光的特性，采用非常薄的有机材料涂层和玻璃基板，当电流通过时，有机材料就会发光，而且有机发光显示器显示屏幕可视角度大，并且能够显著节省电能，因为此有机发光显示器却具备了许多液晶显示器不可比拟的优势。有机发光显示器可以分为无源矩阵型和有源矩阵型，在无源矩阵中，像素在扫描线和信号线彼此交叉的位置以矩阵形式布置，在有源矩阵型中，各像素被如开关般操作的薄膜晶体管控制。图1是传统的有机发光显示器的像素电路的电路图。参照图1，传统的有机发光显示器的像素电路包括多根同方向延伸的栅极线Gl至Gn、多根同方向延伸的数据线SI至Sm、多根同方向延伸的公共功率线Dl至Dm以及多个像素单元101。其中，数据线的数量与公共功率线的数量相同。多根数据线SI至Sm与多根栅极线Gl至Gn相互交叉并绝缘。多根公共功率线Dl至Dm与多根栅极线Gl至Gn相互交叉并绝缘。每个像素单元101由多根栅极线、多根数据线以及多根公共功率线所围成的区域限定。其中像素单元101的电路图参见图2。每个像素单元101中包括开关薄膜晶体管108、驱动薄膜晶体管112、电容器110以及有机发光二极管114。其中，一个像素101由栅极线102、数据线104和公共功率线106所围成的区域限定。有机发光二极管114包括像素电极、形成在像素电极上的有机发射层和形成在有机发射层上的共电极。其中，像素电极作为空穴注入电极的阳极，共电极作为电子注入电极的阴极。在一个变化例中，根据有机发光显示器的驱动方法，像素电极可以是阴极，共电极可以是阳极。空穴和电子分别从像素电极和共电极注入到有机发射层，并形成激子。当激子从激发态变到基态时，进而发光。开关薄膜晶体管108包括开关半导体层(图中未示出)、开关栅电极107、开关源电极103和开关漏电极105。驱动薄膜晶体管112包括驱动半导体层(图中未示出)、驱动栅电极115、驱动源电极113和驱动漏电极117。电容器110包括第一维持电极109和第二维持电极111,在第一维持电极109和第二维持电极111之间设置有层间绝缘层。开关薄膜晶体管108作为用于选择像素发光的开关。开关栅电极107连接到栅极线102。开关源电极103连接到数据线104。开关漏电极105被设置为与开关源电极103相隔一定距离，开关漏电极105连接到第一维持电极109。驱动薄膜晶体管112向像素电极施加驱动功率，以使所选的像素中的有机发光二极管114的有机发射层发光。驱动栅电极115连接到第一维持电极。驱动源电极113和第二维持电极111分别连接到公共功率线106。驱动漏电极117通过一接触孔连接到有机发光二极管114的像素电极。利用上述结构，通过施加到栅极线102的栅极电压来驱动开关薄膜晶体管108，从而将施加到数据线104的数据电压传输到驱动薄膜晶体管112。与从公共功率线106传输到驱动薄膜晶体管112的共电压和通过开关薄膜晶体管108传输的数据电压之间的电压差对应的电压被存储在电容器110中，与存储在电容器110中的电压对应的电流经过驱动薄膜晶体管112流向有机发光二极管114，因而，有机发光二极管114发光。进一步地，有机发光显示器的电压源是影响亮度的主要原因，因此电压源的稳定度是影响有机发光显示器特性的一项重要的指标。高分辨率的有机发光显示器已是目前必然趋势，然而高解析面板造成充电时间变短，以及数据线数量增加。这两个因素都会造成有机发光显示器电压源被扰动而无法恢复原先稳定的电位。具体地，如图3所示的传统的低分辨率的有机发光显示器共电位变化示意图。传统的低分辨率的有机发光显示器的充电时间较长，在被扰动后有足够的时间回到基准共电位并正常供电使有机发光显$器正常发光。而高分辨率的有机发光显示器由于数据线数量的增加以及充电时间的减少使得被扰动的共电位无法再充电时间内恢复到基准共电位。参见图4所示的高分辨率的有机发光显示器共电位变化示意图。有机发光显示器在这样的情况下的发光亮度被影响。
技术实现思路
本专利技术提供一种显示器的像素电路，包括:多根栅极线；与所述多根栅极线相互交叉并绝缘的多根数据线；与所述多根栅极线相互交叉并绝缘的多根公共功率线；由所述多根栅极线、数据线以及公共功率线所围成的区域限定的多个像素单元；以及一根假栅极线，与所述多根栅极线同向，并与所述多根数据线以及所述多根公共功率线相互交叉并绝缘，其中，所述假栅极线上获取的偏移共电位用于对所述像素电路进行共电位补偿。优选地，所述假栅极线的位于所述多根栅极线的一侧。优选地，还包括:由所述假栅极线、所述多根数据线以及所述多根公共功率线所围成的区域限定的多个假像素单元。优选地，所述多个假像素单元与每个所述多个像素单元具有相同的电路结构。优选地，各所述像素单元包括:一个开关薄膜晶体管，设有开关栅电极、开关源电极以及开关漏电极；一个驱动薄膜晶体管，设有驱动栅电极、驱动源电极以及驱动漏电极；一个电容，设有第一维持电极以及第二维持电极；以及一个发光二极管，其中，所述开关薄膜晶体管的开关栅电极连接到所述栅极线，开关源电极连接到所述数据线，开关漏电极连接到第一维持电极和所述驱动薄膜晶体管的驱动栅电极，驱动源电极和第二维持电极分别连接到所述公共功率线，驱动漏电极连接到所述发光二极管单元的正极，所述发光二极管的负极接地。优选地，所述开关薄膜晶体管以及所述驱动薄膜晶体管如下结构中的一种:PM0S结构；NM0S结构；以及CMOS结构。优选地，所述开关薄膜晶体管以及所述驱动薄膜晶体管为如下晶体管中的一种:多晶硅薄膜晶体管；以及非晶硅薄膜晶体管。优选地，所述电容为瓷片电容。优选地，所述发光二极管为有机发光二极管。优选地，各所述像素单元包括:一个开关薄膜晶体管，设有开关栅电极、开关源电极以及开关漏电极；一个驱动薄膜晶体管，设有驱动栅电极、驱动源电极以及驱动漏电极；一个电容，设有第一维持电极以及第二维持电极；以及一个发光二极管，其中，所述开关薄膜晶体管的开关栅电极连接到所述栅极线，开关源电极连接到所述数据线，开关漏电极连接到第一维持电极和所述驱动薄膜晶体管的驱动栅电极，驱动漏电极和第二维持电极分别接地，驱动源电极连接到所述发光二极管单元的负极，所述发光二极管的正极连接到所述公共功率线。优选地，所述开关薄膜晶体管以及所述驱动薄膜晶体管如下结构中的一种:PM0S结构；NM0S结构；以及CMOS结构。优选地，所述开关薄膜晶体管以及所述驱动薄膜晶体管为如下晶体管中的一种:当前第1页1 2 3 4 本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种显示器的像素电路，其特征在于，包括：多根栅极线；与所述多根栅极线相互交叉并绝缘的多根数据线；与所述多根栅极线相互交叉并绝缘的多根公共功率线；由所述多根栅极线、数据线以及公共功率线所围成的区域限定的多个像素单元；以及一根假栅极线，与所述多根栅极线同向，并与所述多根数据线以及所述多根公共功率线相互交叉并绝缘，其中，所述假栅极线上获取的偏移共电位用于对所述像素电路进行共电位补偿。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：何季阳，
申请(专利权)人：上海和辉光电有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。