制造双极晶体管的方法以及采用该方法得到的双极晶体管技术

本发明专利技术涉及一种制造半导体器件（１０）的方法，所述半导体器件（１０）包括衬底（１２）、硅半导体本体（１１）以及双极晶体管，所述双极晶体管具有第一导电类型的射极区（１）、与第一导电类型相反的第二导电类型的基极区（２）、以及第一导电类型的集电极区（３），在半导体本体（１１）的表面上沉积至少一个外延半导体层（２０，２１，２２），在所述半导体本体的表面中将形成集电极区（３），在外延半导体层中将形成基极区（２）；在该外延半导体层的顶部形成蚀刻停止层（１５）；在蚀刻停止层上沉积硅低结晶半导体层（２４）；在硅低结晶半导体层（２４）中形成基极区（２）的连接区；在低结晶半导体层（２４）中在将要形成的射极区（１）的位置处提供开口（７），开口（７）延伸至蚀刻停止层（１５），蚀刻停止层（１５）的一部分覆盖开口（７）；通过蚀刻将蚀刻停止层（１５）以及蚀刻停止层（１５）的相邻部分去除，在硅低结晶半导体层（２４）下面、与开口（７）相邻并且相连接地创建空腔（８）；以及在空腔（８）中形成高结晶半导体层（５）。在根据本发明专利技术的方法中，以这样的方式形成高结晶半导体层（５），使得在与开口（７）相邻的半导体本体（１１）表面部分保持无高结晶半导体层（５）。这样，以容易的方式得到了高质量的器件（１０）。使用覆盖层（６）或以优选的方式甚至不使用这样的层，使相关表面保持无高结晶半导体层。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及制造半导体器件的方法，所述半导体器件包括衬底、 硅半导体本体以及双极晶体管，所述双极晶体管具有第一导电类型的 射极区、与第一导电类型相反的第二导电类型的基极区、以及第一导电类型的集电极区，该方法包括在半导体本体的表面上沉积至少一个外延半导体层，在所述半导体本体中将形成集电极区，在外延半导体层中将形成基极区，在外延半导体层的顶部形成蚀刻停止层；在蚀刻停止层上沉积硅低结晶半导体层； 在半导体层中形成基极区的连接区；在将要形成的射极区的位置处、在低结晶半导体层中提供开口， 所述开口延伸至蚀刻停止层，所述蚀刻停止层的一部分覆盖所述开口；通过蚀刻将去除蚀刻停止层的相邻部分，从而在与开口相邻并且 相连接的硅低结晶半导体层下面创建空腔(hollow);以及在空腔中形成高结晶半导体层。
技术介绍
根据美国专利2001/0053584这种方法是已知的。在该文献中公开 了一种制造具有双极晶体管的半导体器件的方法，其中，在具有STI 区(浅沟隔离)的单晶衬底上，外延地沉积多个半导体层以形成晶体 管的的基极区。在这些半导体层的顶部上沉积蚀刻停止层，所述蚀刻 停止层被多晶硅层以及电介质层所覆盖本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制造半导体器件（１０）的方法，所述半导体器件（１０）包括衬底（１２）、硅半导体本体（１１）以及双极晶体管，所述双极晶体管具有第一导电类型的射极区（１）、与第一导电类型相反的第二导电类型的基极区（２）、以及第一导电类型的集电极区（３），该方法包括：　在半导体本体（１１）的表面上沉积至少一个外延半导体层（２０，２１，２２），在所述半导体本体中将形成集电极区（３），在外延半导体层中将形成基极区（２），　在外延半导体层的顶部上形成蚀刻停止层（１５）；　在蚀刻停止层上沉积硅低结晶半导体层（２４）；　在半导体层（２４）中形成基极区（２）的连接区；　在将要形成的射极区（１）的位置处、在低结晶半导体层（２...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：埃尔温海鲁，菲利浦默尼耶贝拉德，约翰内斯JTM唐克斯，
申请(专利权)人：NXP股份有限公司，
类型：发明
国别省市：NL[荷兰]