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本发明涉及一种制造半导体器件（１０）的方法，所述半导体器件（１０）包括衬底（１２）、硅半导体本体（１１）以及双极晶体管，所述双极晶体管具有第一导电类型的射极区（１）、与第一导电类型相反的第二导电类型的基极区（２）、以及第一导电类型的集电极区...
该专利属于ＮＸＰ股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过ＮＸＰ股份有限公司授权不得商用。

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