一种噻咯类衍生物及其制备方法和应用技术

本发明专利技术公开了一种式1所示噻咯类衍生物，并公开了所述噻咯类衍生物的制备方法，以及其作为发光材料的应用。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种具有噻咯(硅杂环戊二烯)结构的衍生物的合成方法，属于有机合成中间体及新功能材料合成领域。
技术介绍
自1969年，日本学者Curtis合成硅杂环戊二烯以来，对硅杂环戊二烯类衍生物的研究不断出现。目前国内外已有相关专利和公开专利7篇(CN101284844A，CN1817890A， CN1943279A, CN1648641A, US7605225B2, JP7-179477，JP6-166746)，这些专利都是针对具有噻咯结构的小分子化合物和聚合物合成方法和应用的保护。噻咯衍生物是重要的有机光电材料，广泛应用于导电、发光等重要领域，同时也是重要的有机中间体(CN101284844A)。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一系列含噻咯结构的化合物。本专利技术的的另一目的是提供该类化合物合成方法。本专利技术提供的噻咯衍生物如式1所示权利要求1.如式1所示的噻咯类衍生物2.如权利要求1所述的噻咯类衍生物，其特征在于所述R1为氢、甲基、己基或苯基出2 为氢、甲基、己基或苯基；R3为甲基、己基或苯基；R4为甲基、己基或苯基；R6为氢、甲基、己基或苯基；R7为氢、甲基、己基或苯本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．如式１所示的噻咯类衍生物：式１中，Ｒ１、Ｒ２各自独立为氢、Ｃ１～Ｃ６的烷基或苯基中的任意一种；Ｒ３、Ｒ４各自独立为Ｃ１～Ｃ６的烷基或苯基中的任意一种；Ｒ５为下列式Ａ～式Ｂ所示基团之一：式Ａ中，Ｒ６为氢、Ｃ１～Ｃ６的烷基或苯基；式Ｂ中，Ｒ７为氢、Ｃ１～Ｃ６的烷基或苯基；式１中，不同位置的Ｒ３表示相同的基团，不同位置的Ｒ４表示相同的基团，不同位置的Ｒ５表示相同的基团。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：冯海柯，郭延举，赵祖金，邱化玉，
申请(专利权)人：杭州师范大学，
类型：发明
国别省市：86