多晶硅生产中还原炉底盘密封面保护圈制造技术

本实用新型专利技术提供了多晶硅生产中还原炉底盘密封面保护圈，所述保护圈设置于还原炉底盘上，包括环状的水平面和垂直裙边，水平面的外环边与垂直裙边的上边同边；所述水平面的底面和裙边的内侧均设置有四氟板，并且与还原炉底盘外缘贴合；本实用新型专利技术可以有效防止倒棒时硅棒对底盘密封面及垫圈造成损伤，降低倒棒时硅棒对还原炉密封面的冲击，延长还原炉垫圈和密封面的使用寿命，可以大大节省垫圈采购费，降低设备和备件损耗，降低还原炉使用和维护成本。（*该技术在2020年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及多晶硅生产中的还原炉/氢化炉专用配套保护装置，特别是方便 还原炉拆炉过程中配套装置的密封面保护圈。
技术介绍
目前在多晶硅生产行业中，一般均采用改良西门子法生产多晶硅产品的工艺技 术，尤其是带压生产工艺，而这类工艺的多晶硅生产中，还原炉发生倒棒的情况是不可避免 的。当还原炉发生倒棒时，硅棒会直接砸落在还原炉底盘上，对还原炉垫圈及底盘密封面造 成较大的损坏，降低垫圈及底盘密封面的使用寿命。现目前，还没有一种有效的措施对还原炉底盘垫圈及密封面进行保护，仅有的保 护措施为使用环形四氟板进行隔离保护，在硅棒砸落时起缓冲保护左右，但效果并不明显。
技术实现思路
本技术为解决上述技术问题，提供了一种多晶硅生产中还原炉底盘密封面保 护圈，可以有效防止倒棒时硅棒对底盘密封面及垫圈造成损伤，延长还原炉垫圈和密封面 的使用寿命，达到降低设备和备件损耗，节约成本的目的。本技术的技术方案如下多晶硅生产中还原炉底盘密封面保护圈，其特征在于所述保护圈设置于还原炉 底盘上，包括环状的水平面和垂直裙边，水平面的外环边与垂直裙边的上边同边；所述水平 面的底面和裙边的内侧均设置有四氟板，并且与还原炉底盘外缘贴合。所述垂直裙边为水平面的外环边向下翻折而成。或者，所述垂直裙边与水平面的外环边焊接连接，或者其他方式连接。所述保护圈的水平面和裙边采用2mm厚度的不锈钢钢板，四氟板厚度为2mm。所述环状水平面的外径为1760mm，内径为1660mm，垂直裙边高50mm。通过设置的 四氟板，可以有效起到缓冲和保护的作用。所述保护圈整体可以分成几份，便于安装和拆卸，可以等分，也可不等分。所述保护圈的每一部分之间通过挂扣连接件连接，也可以使用螺栓连接等其他连 接方式。在拆炉将还原炉炉筒吊起时，将这种结构的保护圈衬在底盘上，使保护圈正好贴 合还原炉底盘外缘，这样在发生倒棒后硅棒落在此保护圈上，降低对底盘密封面及垫圈的 损伤。本技术的技术效果如下本技术可以有效防止倒棒时硅棒对底盘密封面及垫圈造成损伤，降低倒棒时 硅棒对还原炉密封面的冲击，延长还原炉垫圈和密封面的使用寿命，可以大大节省垫圈采 购费，降低设备和备件损耗，降低还原炉使用和维护成本。附图说明图1为本技术的结构示意图图2为本技术保护圈的局部剖面结构示意图图3为本技术挂扣连接件的结构示意图其中附图标记为1水平面，2裙边，3四氟板，4挂扣连接件。具体实施方式如图1-2所示，多晶硅生产中还原炉底盘密封面保护圈，所述保护圈设置于还原 炉底盘上，包括环状的水平面1和垂直裙边2，水平面1的外环边与垂直裙边2的上边同边； 所述水平面1的底面和裙边2的内侧均设置有四氟板3，并且与还原炉底盘外缘贴合。所述垂直裙边2为水平面1的外环边向下翻折而成。或者，所述垂直裙边2与水平面1的外环边焊接连接，或者其他方式连接。所述保护圈的水平面1和裙边2采用2mm厚度的304不锈钢钢板，四氟板3厚度 为 2mm。所述环状水平面1的外径为1760mm，内径为1660mm，垂直裙边2高50mm。通过设 置的四氟板3，可以有效起到缓冲和保护的作用。所述保护圈整体可以分成几份，便于安装和拆卸，可以等分，也可不等分。如图3所示，所述保护圈的每一部分之间通过挂扣连接件4连接。也可以使用螺 栓连接等其他连接方式。在西门子法生产多晶硅中，硅棒长成后，还原炉拆炉时，先将还原炉炉筒吊起5-10 公分的高度，将本保护圈各部分一次放置到还原炉垫圈上，连接固定好后，再提起继续提起 还原炉炉筒，实施正常的拆炉作业，在拆炉将还原炉炉筒吊起时，因为设置有这种结构的保 护圈衬在底盘上，使保护圈正好贴合还原炉底盘外缘，这样即使如果发生倒棒，硅棒也砸落 在保护圈上，降低对底盘密封面及垫圈的损伤。在目前的多晶硅生产行业中，还原炉发生倒棒的频率较高，倒棒时硅棒对底盘密 封面及垫圈的破坏较大，按照目前倒棒率27%的情况下，每7、8炉更换一次垫圈的实际 情况，每个垫圈5000元、以年产1500t多晶硅计算，每年仅用于更换垫圈的费用至少为 1500/2/7*5000=535714(元)，年产3000t的项目这项费用预计将多达110万元以上；除此 之外，倒棒时硅棒撞击还会对还原炉炉筒内壁及底盘密封面造成损伤。采用本设计的保护 圈，能起到保护垫圈及密封面的作用，延长垫圈使用寿命至14、15炉次，仅此一项的直接经 济效益每年(年产3000t)节约垫圈采用费用53万元。本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．多晶硅生产中还原炉底盘密封面保护圈，其特征在于：所述保护圈设置于还原炉底盘上，包括环状的水平面（１）和垂直裙边（２），水平面（１）的外环边与垂直裙边（２）的上边同边；所述水平面（１）的底面和裙边（２）的内侧均设置有四氟板（３），并且与还原炉底盘外缘贴合。

【技术特征摘要】
1.多晶硅生产中还原炉底盘密封面保护圈，其特征在于所述保护圈设置于还原炉底 盘上，包括环状的水平面(1)和垂直裙边(2)，水平面(1)的外环边与垂直裙边(2)的上边同 边；所述水平面(1)的底面和裙边(2)的内侧均设置有四氟板(3)，并且与还原炉底盘外缘 贴合。2.根据权利要求1所述的多晶硅生产中还原炉底盘密封面保护圈，其特征在于所述 垂直裙边(2 )为水平面(1)的外环边向下翻折而成。3.根据权利要求1所述的多晶硅生产中还原炉底盘密封面保护圈，其特征在于所述 垂直裙边(2)与水平面(1)的外环边焊接连接。4.根据权...

【专利技术属性】
技术研发人员：侯德健，幸晓伟，谢然，张家栋，李刚，
申请(专利权)人：天威四川硅业有限责任公司，
类型：实用新型
国别省市：90