【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体材料制备及太阳能材料制备领域，特别涉及。
技术介绍
晶体硅(包括单晶硅和多晶硅)是一种重要的材料，有着高能效率和无劣化的稳定特性，广泛应用于微电子领域，近几年晶体硅在太阳能领域的应用也成为一个热点。高纯度的晶体硅按照纯度要求不同，通常分为电子级和太阳能级，但是，现有的高纯度的晶体硅由于生产设备和制备工艺的限制，大都为电子级。现有的电子级高纯度的晶体硅制备工艺通常为两种一种是将低纯度的硅提纯的制备工艺，例如在申请号为200680007451. 1的中国专利文件提及的一种将氧化剂和矿渣加入到熔融硅来制备高纯度硅的制备工艺，但该工艺中需要提供较昂贵的低纯度的粗制硅，粗制硅是采用天然的二氧化硅与碳素还原获得，生产成本较高且会带来环保问题，且粗制硅中含有硼和磷杂质，该工艺中还需要额外的对硼和磷杂质进行去除，增加制造成本。另一种是采用含硅的化学试剂制备晶体硅的制备工艺，具体如申请号为 200780036775. 2的中国专利文件中提供采用氯硅烷前驱体反应制备高纯度硅的制备设备和制备工艺，但该制备工艺需要采用氯硅烷前驱体，成本也较高。
技术实现思路
本专利技术...
【技术保护点】
１．一种利用稻壳制备高纯硅的方法，其特征在于，包括：提供稻壳；对所述稻壳进行粉碎；对所述粉碎的稻壳进行炭化；对炭化后的稻壳进行酸处理；对所述炭化后的稻壳进行造粒，形成颗粒；对所述颗粒进行电弧熔解还原工艺或者等离子体熔解还原工艺，形成粗制硅；对所述粗制硅进行电子束处理并进行硅铸造，形成高纯硅。
【技术特征摘要】
1.一种利用稻壳制备高纯硅的方法，其特征在于，包括 提供稻壳；对所述稻壳进行粉碎；对所述粉碎的稻壳进行炭化；对炭化后的稻壳进行酸处理；对所述炭化后的稻壳进行造粒，形成颗粒；对所述颗粒进行电弧熔解还原工艺或者等离子体熔解还原工艺，形成粗制硅； 对所述粗制硅进行电子束处理并进行硅铸造，形成高纯硅。2.如权利要求1所述的利用稻壳制备高纯硅的方法，其特征在于，对所述稻壳进行粉碎工艺为湿式粉碎工艺。3.如权利要求1所述的利用稻壳制备高纯硅的方法，其特征在于，粉碎后的稻壳粒径为1微米至100微米。4.如权利要求1所述的利用稻壳制备高纯硅的方法，其特征在于，稻壳的炭化工艺为在旋转的炭化炉中进行。5.如权利要求4所述的利用稻壳制备高纯硅的方法，其特征在于，对所述粉碎的稻壳进行炭化具体包括炭化炉腔室温度为500°C至ΙΟΟΟ ，并通入含水分的惰性气体。6.如权利要求1所述的利用稻壳制备高纯硅的方法，其特征在于，所述酸处理具体包括将炭化后的稻壳浸入浓度为5%至20%的硫酸溶液中。7.如权利要求6所述的利用稻壳制备高纯硅的方法，其特征在于，对炭化后的稻壳进行酸处理具体工艺为室温将炭化后的稻壳浸入浓度为10%的硫酸溶液中M小时。8.如权利要求6所述的利用稻壳制备高纯硅的方法，其特征在于，对炭化后的稻壳进行酸处理具体工艺为在80°C至100°C将炭化后的稻壳浸入浓度为10%的硫酸溶液中5小时。9.如权利要求1所述的利用稻壳制备高纯硅的方法，其特征在于，所述电弧熔解还原工艺具体为通入惰性气体形成压力，在温度1000°c至2000°C，对所述颗粒进行电弧熔解， 形成粗制硅。10.如权利要求1所述的利用稻壳制备高纯硅的方法，其特征在于，所述等离子体熔解还原工艺具体为通入惰性气体，在温度1000°C至2000°C，对所述颗粒进行等离子体熔解。11.如权利要求9所述的...
【专利技术属性】
技术研发人员：岛田达也，岛宗孝之，姚尚龙，
申请(专利权)人：姚尚龙，岛田达也，岛宗孝之，
类型：发明
国别省市：32
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