一种高α相氮化硅的制备方法技术

本发明专利技术公开一种高α相氮化硅的制备方法，包括以下步骤：首先将质量比为5～45:100的纳米级硅粉和微米级硅粉充分混合，得到硅粉原料；氮气气氛下，将所述的硅粉原料加热到800～1200℃，保温2～20h，再升温至1200～1350℃，待氮化反应完全后得到氮化硅。本发明专利技术提供了一种高α相氮化硅的制备方法，通过在微米级硅粉中掺入纳米级硅粉，同时控制氮化温度，抑制硅粉的自烧结，进而获得了高含量的α相氮化硅；本制备方法工艺简单、性能可控，且生产周期短、极大地降低了生产能耗，适合于大规模的工业化生产。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种高α相氮化硅的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)将纳米级硅粉和微米级硅粉按质量比为5～45:100进行充分混合，得到硅粉原料；(2)氮气气氛下，将步骤(1)得到的硅粉原料加热到800～1200℃，保温2～20h，再升温至1200～1350℃，待氮化反应完全后得到氮化硅。

【技术特征摘要】
...

【专利技术属性】
技术研发人员：张亚光，杜宁，张辉，杨德仁，
申请(专利权)人：浙江大学，
类型：发明
国别省市：浙江;33