一种Si-SiC靶材制造技术

本发明专利技术涉及一种Si-SiC靶材，它是一种用于生产氧化物、氮化物和碳化物薄膜的Si-SiC靶材，它的化学组分和重量配比是5-95%的Si、95-5%的SiC。本发明专利技术采用Si以及SiC为原料生产Si-SiC靶材，具有制作工艺简单、制作成本低、耐磨性能好、应用范围广的优点。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于靶材
，涉及一种用于生产氧化物、氮化物和碳化物薄膜的 Si-SiC 靶材。
技术介绍
对溅射类镀膜，简单理解为利用电子或高能激光轰击靶材，并使表面组分以原子团或离子形式被溅射出来，并且最终沉积在基片表面，经历成膜过程，最终形成薄膜。溅射镀膜又分为很多种，总体看，与蒸发镀膜的不同点在于溅射速率将成为主要参数之一。溅射镀膜中的激光溅射镀膜pld，组分均勻性容易保持，而原子尺度的厚度均勻性相对较差(因为是脉冲溅射)，晶向(外沿)生长的控制也比较一般。以Pld为例，因素主要有靶材与基片的晶格匹配程度、镀膜氛围(低压气体氛围)、基片温度、激光器功率、脉冲频率和溅射时间，对于不同的溅射材料和基片，最佳参数需要实验确定，是各不相同的，镀膜设备的好坏主要在于能否精确控温，能否保证好的真空度，能否保证好的真空腔清洁度。现有的溅射靶材有金属靶材如钛靶Ti、铝靶Al、锡靶Su、铪靶Hf、铅靶Pb等；有合金靶材如铁钴靶FeCo、铝硅靶AlSiJi--TiSi ；有陶瓷靶材如一氧化硅靶SiO、二氧化硅靶Si02、二氧化钛靶Ti02，三氧化二钇靶Y203、五氧化二钒靶V205、五氧化二钽靶本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种Ｓｉ－ＳｉＣ靶材，其特征是：它是一种用于生产氧化物、氮化物和碳化物薄膜的Ｓｉ－ＳｉＣ靶材，它的化学组分和重量配比是５－９５％的Ｓｉ、９５－５％的ＳｉＣ。

【技术特征摘要】
1.一种Si-SiC靶材，其特征是它是一种用于生产氧化物、氮化物和碳化物薄膜的 Si-SiC靶材，它的化学组分和重量配比是5-95%的Si、95-5%的SiC。2.制备如权利要求1所述的Sn-Si靶材的方法，其特征是按照上述...

【专利技术属性】
技术研发人员：文宏福，
申请(专利权)人：韶关市欧莱高新材料有限公司，
类型：发明
国别省市：44