一种由ITO废靶直接粉碎制粉并生产ITO靶材的制备方法技术

本发明专利技术公开了一种由ITO废靶直接粉碎制粉并生产ITO靶材的制备方法，包括如下步骤：S1、将废靶材进行预处理得到预处理废靶材料；S2、将步骤S1得到的预处理废靶材料依次进行粗碎、中碎、粉碎得到废靶材粉末；S3、将废靶材粉末在500‑1000℃下煅烧得到ITO回收粉；S4、将ITO回收粉成型得到ITO生坯，ITO生坯在常压纯氧气氛条件下进行烧结得到ITO靶材。本发明专利技术将废靶材料预处理后进行三级破碎和粉碎工艺获得废靶材粉末，在适合温度下进行煅烧即得ITO回收粉，将ITO回收粉采用常规的成型和烧结工艺成型和烧结即可得到ITO靶材，ITO靶材纯度可达99.99％及以上，整体工艺简单易控，实现对废靶回收再利用，具有很好的经济效益。

【技术实现步骤摘要】
一种由ITO废靶直接粉碎制粉并生产ITO靶材的制备方法
本专利技术属于磁控溅射
，尤其涉及一种由ITO废靶直接粉碎制粉并生产ITO靶材的制备方法。
技术介绍
铟锡氧化物靶材，IndiumTinOxide靶材，简称ITO靶材，是氧化铟和氧化锡两种金属氧化物的混合物经高温烧结形成的陶瓷功能材料。由氧化锡掺杂氧化铟烧结的ITO靶材，经真空磁控溅射镀膜后，可在玻璃等透明基底上形成ITO透明导电膜，是液晶显示面板行业必需的关键材料。ITO靶材在磁控溅射镀膜时，由于磁场强度在靶材表面分布的不均匀，靶材的消耗是不均匀的。一般TFT平面ITO靶材的利用率只有30％左右，旋转ITO靶材利用率约70-80％，产生大量的ITO废靶需要回收利用。此外，在ITO靶材的生产加工过程中，也会产生大量的边角料或不良品。这些ITO废靶原料，本身为99.99％纯度的材料，铟、锡、氧元素之外的杂质含量低于100ppm，实际上除了表面可能存在污染外，废靶材就是剩余的ITO靶材边角料，内部成分与ITO靶材纯度是一样的。目前ITO废靶的回收，市场上一般是将ITO废靶本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种由ITO废靶直接粉碎制粉并生产ITO靶材的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：/nS1、将废靶材进行预处理得到预处理废靶材料；/nS2、将步骤S1得到的预处理废靶材料依次进行粗碎、中碎、粉碎得到废靶材粉末；其中，粗碎至粒径低于5mm；中碎至粒径低于1mm，粉碎至粒径低于200目；/nS3、将废靶材粉末在500-1000℃下煅烧得到ITO回收粉；/nS4、将ITO回收粉成型得到ITO生坯，ITO生坯在常压纯氧气氛条件下进行烧结得到ITO靶材。/n

【技术特征摘要】
1.一种由ITO废靶直接粉碎制粉并生产ITO靶材的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
S1、将废靶材进行预处理得到预处理废靶材料；
S2、将步骤S1得到的预处理废靶材料依次进行粗碎、中碎、粉碎得到废靶材粉末；其中，粗碎至粒径低于5mm；中碎至粒径低于1mm，粉碎至粒径低于200目；
S3、将废靶材粉末在500-1000℃下煅烧得到ITO回收粉；
S4、将ITO回收粉成型得到ITO生坯，ITO生坯在常压纯氧气氛条件下进行烧结得到ITO靶材。


2.根据权利要求1所述的ITO废靶直接粉碎制粉并生产ITO靶材的制备方法，其特征在于，步骤S1中，废靶材为溅射镀膜后产生的ITO残靶和/或ITO靶材生产过程中产生的边角料和不良品。


3.根据权利要求1或2所述的ITO废靶直接粉碎制粉并生产ITO靶材的制备方法，其特征在于，步骤S1中，预处理具体包括：打磨、清洗和酸泡。


4.根据权利要求1-3中任一项所述的ITO废靶直接粉碎制粉并生产ITO靶材的制备方法，其特征在于，步骤S3中，ITO回收粉的粒径D50为0.2...

【专利技术属性】
技术研发人员：文宏福，李鹏，叶俊峰，
申请(专利权)人：韶关市欧莱高新材料有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44