一种铝钕铟锌氧化物旋转靶及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种铝钕铟锌氧化物旋转靶的制备方法，包括如下步骤：S1、将氧化铝、氧化钕、氧化铟、氧化锌加入水、粘结剂搅拌均匀、砂磨得到浆料；S2、将步骤S1所得浆料喷雾干燥得到造粒粉；S3、将步骤S2所得造粒粉冷等静压成型，得到旋转靶素坯；S4、将旋转靶素坯精修后脱脂烧结得到烧结坯；S5、将烧结坯与金属背管邦定得到铝钕铟锌氧化物旋转靶；本发明专利技术公开了一种铝钕铟锌氧化物旋转靶。本发明专利技术制得的旋转靶具有纯度高，密度高，晶粒小的优点，用于G2.5‑G11代线金属氧化物TFT‑LCD及TFT‑OLED。

【技术实现步骤摘要】
一种铝钕铟锌氧化物旋转靶及其制备方法
本专利技术属于磁控溅射
，尤其涉及一种铝钕铟锌氧化物旋转靶及其制备方法。
技术介绍
薄膜晶体管(ThinFilmTransistor，简称TFT)，是一种用途广泛的半导体器件，其目前主要应用在液晶显示(LCD)中以驱动液晶排列变化、以及驱动有机发光显示(OLED)像素发光。现在的TFT材料主要有非晶硅、多晶硅以及金属氧化物三类。其中非晶硅TFT具有对光敏感、迁移率低和稳定性差的缺点；多晶硅TFT虽然有较高的迁移率，但是由于晶界导致其电学均匀性差，另外多晶硅制备温度高以及生产成本较高，限制了其在平面显示中的应用，金属氧化物TFT具有迁移率高、均匀性好、透明度佳、工艺简单等优点，在近年得到了广泛的研究和快速的发展。目前，用于制作金属氧化物TFT有源层的材料大多为基于氧化铟、氧化锌及两者混合(In2O3、ZnO或IZO)掺杂的氧化物半导体材料。In2O3、ZnO或IZO都具有较高的载流子浓度，因而具备较强的电荷传输能力，可以有效驱动TFT器件工作，有利于在低温或室温工艺实现高性能金属氧化物TFT。然本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种铝钕铟锌氧化物旋转靶的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：/nS1、将氧化铝、氧化钕、氧化铟、氧化锌加入水、粘结剂搅拌均匀、砂磨得到浆料；/nS2、将步骤S1所得浆料喷雾干燥得到造粒粉；/nS3、将步骤S2所得造粒粉冷等静压成型，冷等静压的升压速率为10-30Mpa/min，最大压力为200-450Mpa，保压时间为10-30min，降压速率为30-60Mpa/min，得到旋转靶素坯；/nS4、将旋转靶素坯精修后脱脂烧结得到烧结坯；/nS5、将烧结坯与金属背管邦定得到铝钕铟锌氧化物旋转靶。/n

【技术特征摘要】
1.一种铝钕铟锌氧化物旋转靶的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
S1、将氧化铝、氧化钕、氧化铟、氧化锌加入水、粘结剂搅拌均匀、砂磨得到浆料；
S2、将步骤S1所得浆料喷雾干燥得到造粒粉；
S3、将步骤S2所得造粒粉冷等静压成型，冷等静压的升压速率为10-30Mpa/min，最大压力为200-450Mpa，保压时间为10-30min，降压速率为30-60Mpa/min，得到旋转靶素坯；
S4、将旋转靶素坯精修后脱脂烧结得到烧结坯；
S5、将烧结坯与金属背管邦定得到铝钕铟锌氧化物旋转靶。


2.根据权利要求1所述的铝钕铟锌氧化物旋转靶的制备方法，其特征在于，步骤S1中，氧化铝、氧化钕、氧化铟、氧化锌总量中，氧化铝所占的质量分数为x％,氧化钕所占的质量分数为y％,氧化铟所占的质量分数为z％，氧化锌所占的质量分数为(100-x-y-z)％,其中，0≤x＜10，0＜x＜10，0＜z<100。


3.根据权利要求1或2所述的铝钕铟锌氧化物旋转靶的制备方法，其特征在于，步骤S1中，氧化铝、氧化钕、氧化铟、氧化锌均为4N粉末，粒径D50为0.1-1.0μm，比表面积BET为5-30m2/g。<...

【专利技术属性】
技术研发人员：文宏福，
申请(专利权)人：韶关市欧莱高新材料有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44