一种用于蒸镀的烧结体及其制备方法技术

本发明专利技术提供了一种用于蒸镀的烧结体及其制备方法。该烧结体，由氧化铟、掺杂元素x和硅元素制备得到，其中掺杂元素x的含量以x的氧化物/(氧化铟+x的氧化物)的重量比为0.2～5.0％，硅元素在所述烧结体中的含量为5～600ppm，硅元素为纳米氧化硅粉末和二氧化硅溶胶中的至少一种。将氧化铟与掺杂元素x的氧化物混合物料在高温获得具有方铁锰矿结构的、固溶有元素x的氧化铟单一晶相粉末，再与硅元素混合后压制成所需尺寸的胚体，再进行烧结得到烧结体。此烧结体进行RPD镀膜可获得高的迁移率，同时解决了烧结体由于密度低而在使用过程中掉粉影响镀膜过程连续进行而导致生产效率降低的问题，无需再停机针对掉粉问题进行清理，实现了持续的生产，提高了生产效率。

【技术实现步骤摘要】
一种用于蒸镀的烧结体及其制备方法
本专利技术属于活化等离子体沉积
，具体涉及一种用于蒸镀的烧结体及其制备方法，可应用于太阳能电池等用高导电性透明氧化物膜。
技术介绍
各种薄膜材料中，透明导电薄膜可广泛应用于太阳能电池，建筑节能玻璃、各类传感器及平板显示等领域。其中氧化铟材料是一种n型半导体材料，因其接近金属的导电率、高可见光透过率等独特的物理性能而被广泛应用于太阳能电池。氧化铟材料薄膜的制备方法很多，常见的有真空热蒸发、电子束蒸发、磁控溅射、等离子体增强化学气相沉积、喷涂法和溶胶-凝胶法。前四种方法需要在真空环境下完成，由于不受空气中各种杂质的影响，可以获得比较纯净的材料，成膜质量较高，相应的成本较高，大面积制备比较困难。后面两种方法可以在大气压下完成，大面积制备比较容易，成本比较低，但是要获得比较纯净的高质量薄膜比较困难。活化等离子体沉积(ReactivePlasmaDeposition，RPD)是最近发展起来的一种优势明显的薄膜沉积方法。其主要优势包括：(1)对衬底的低轰击损伤，RPD镀膜本质上可认为是一种离子辅助蒸发技术，镀本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于蒸镀的烧结体，其特征在于，包含有氧化铟、掺杂元素x；所述掺杂元素x的含量以x的氧化物/(氧化铟+x的氧化物)的重量比计为0.2～5.0％；所述烧结体还包含有占所述烧结体的总重量比计为5～600ppm的硅元素。/n

【技术特征摘要】
1.一种用于蒸镀的烧结体，其特征在于，包含有氧化铟、掺杂元素x；所述掺杂元素x的含量以x的氧化物/(氧化铟+x的氧化物)的重量比计为0.2～5.0％；所述烧结体还包含有占所述烧结体的总重量比计为5～600ppm的硅元素。


2.根据权利要求1所述的用于蒸镀的烧结体，其特征在于，所述硅元素的加入方式为纳米氧化硅粉末和二氧化硅溶胶中的至少一种。


3.根据权利要求2所述的用于蒸镀的烧结体，其特征在于，所述硅元素在所述烧结体中的含量为20～60ppm。


4.根据权利要求1所述的用于蒸镀的烧结体，其特征在于，所述掺杂元素x选自铈(Ce)锆(Zr)和钛(Ti)中的至少一种。


5.一种制备如权利要求1～4任一项所述的用于蒸镀的烧结体的方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1：按配比称取所述氧化铟、掺杂元素x的氧化物，将所述氧化铟和掺杂...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈明飞，刘永成，江长久，陈明高，徐胜利，郭梓旋，莫国仁，李跃辉，
申请(专利权)人：长沙壹纳光电材料有限公司，
类型：发明
国别省市：湖南;43