一种氧化物靶材、氧化物薄膜及其制备方法与应用技术

本发明专利技术公开了一种氧化物靶材、氧化物薄膜及其制备方法与应用。本发明专利技术的氧化物靶材含有In2O3、SnO2和ZnO，其中，按照原子摩尔比计，In：Sn：Zn＝9.7711：(A+N)：N；其中，0＜N＜4.386，0.3＜A≤1.2，所述氧化物靶材的密度大于99％。本发明专利技术的氧化物靶材密度高、颜色均一，且在连续使用后不会结瘤。采用本发明专利技术氧化物靶材制得的氧化物薄膜表面粗糙度低，且导电性和光透过率好，具有广泛的应用价值。具有广泛的应用价值。

【技术实现步骤摘要】
一种氧化物靶材、氧化物薄膜及其制备方法与应用


[0001]本专利技术涉及氧化物半导体材料
，尤其是涉及一种氧化物靶材、氧化物薄膜及其制备方法与应用。

技术介绍

[0002]随着异质结太阳能电池、薄膜太阳能电池、LED芯片的发展，提升TCO导电薄膜的特性是永恒的主题，其中提高薄膜与基底及金属电极的接触特性是极为重要的关键点之一。相关技术，金半接触的功函数匹配至关重要。对于异质结太阳能电池，在不降低TCO薄膜导电性的前提下，提高TCO薄膜与非晶硅或微晶硅、金属电极银或铜电极的接触特性，可以制作更窄的栅线，并且能够有效增加光的透过面积，减少金属电极的金属用量，因此，无论是对降低成本还是提高效率都是很好的选项。对于薄膜太阳能电池，也存在类似的要求。而对于LED芯片，在P极与金电极接触的TCO薄膜，通过提高接触特性来提升载流子的输送是提高亮度的关键。
[0003]铟锡氧化物(ITO)靶材是将二氧化锡固溶于三氧化二铟形成的一种N型半导体材料，其具有优异的导电性和透明度，广泛应用于TCO导电薄膜的制备，但由于铟锡氧化物靶材成膜时的晶粒度较大导致本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种氧化物靶材，其特征在于，含有In2O3、SnO2和ZnO，其中，按照原子摩尔比计，In：Sn：Zn＝9.7711：(A+N)：N；其中，0＜N＜4.386，0.3＜A≤1.2；所述氧化物靶材的密度大于99％。2.根据权利要求1所述的氧化物靶材，其特征在于，所述A＝1时，所述N满足0＜N＜4.386。3.一种如权利要求1或2所述氧化物靶材的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤S1：制作氧化铟锡锌复合粉体；步骤S2：将所述氧化铟锡锌复合粉体喷雾造粒，得氧化铟锡锌复合颗粒；步骤S3：将所述氧化铟锡锌复合颗粒模压成型，经冷等静压后得到毛坯靶材；步骤S4：将所述毛坯靶材脱脂后烧结，即得所述氧化物靶材。4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，步骤S1中，所述氧化铟锡锌复合粉体的具体制备方法包括：将铟原料液、锡原料液和锌原料液混合，添加pH调节剂，调节pH至7.7～8.6反应，反应完成后，固液分离，收集固相，将所述固相干燥，煅烧，得氧化铟锡锌复合粉体。5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，步骤S1中，所述铟原料液包括硫酸铟、硝酸铟和氯化铟中的至少一种；优选的，所述锡原料液包括硫酸锡、硝酸锡和氯化锡中的至少...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈明飞，王金科，刘永成，郭梓旋，徐胜利，陈明高，江长久，王志杰，莫国仁，李跃辉，
申请(专利权)人：长沙壹纳光电材料有限公司，
类型：发明
国别省市：