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本发明公开了一种氧化物靶材、氧化物薄膜及其制备方法与应用。本发明的氧化物靶材含有In2O3、SnO2和ZnO，其中，按照原子摩尔比计，In：Sn：Zn＝9.7711：(A+N)：N；其中，0＜N＜4.386，0.3＜A≤1.2，所述氧化物靶...
该专利属于长沙壹纳光电材料有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过长沙壹纳光电材料有限公司授权不得商用。

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