一种大尺寸钕铝铟锌氧化物平面靶材及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种大尺寸钕铝铟锌氧化物平面靶材制备方法，其特征在于，包括如下步骤：S1、将氧化钕、氧化铝、氧化铟和氧化锌粉末混合研磨制浆得到混合浆料，用混合浆料进行喷雾造粒得到造粒粉；S2、将步骤S1所得的造粒粉依次进行模压和等静压成型得到靶材素坯；S3、将步骤S2得到的靶材素坯进行烧结得到烧结坯；其中，烧结包括：脱脂、烧成和降温三个阶段；S4、将步骤S3得到的烧结坯经机械加工和邦定得到大尺寸钕铝铟锌氧化物平面靶材；本发明专利技术还公开了一种大尺寸钕铝铟锌氧化物平面靶材。本发明专利技术采用模压和等静压成型工艺得到靶材素坯，采用脱脂、烧成和降温三个阶段烧结工艺，控制合理的烧结条件，提高了靶材均匀度，提高了大尺寸靶材的成品率。

【技术实现步骤摘要】
一种大尺寸钕铝铟锌氧化物平面靶材及其制备方法
本专利技术属于磁控溅射
，尤其涉及一种大尺寸钕铝铟锌氧化物平面靶材及其制备方法。
技术介绍
薄膜晶体管(ThinFilmTransistor，简称TFT)，是一种用途广泛的半导体器件，其最重要的用途是在显示器中用于驱动液晶排列变化、以及驱动OLED像素发光，从而实现图形的显示和快速响应。相对于目前主流的a-SiTFT(非晶硅)、LTPSTFT(低温多晶硅)工艺，近年来，金属氧化物TFT(简称，MOSTFT)具有迁移率高、均匀性好、透明度佳、工艺简单等优点，得到了广泛的研究和快速的发展，并已开始市场应用。目前，研究用于MOSTFT有源层的材料大多为基于氧化铟或氧化锌(In2O3、ZnO或IZO)掺杂的氧化物半导体材料。In2O3、ZnO或IZO都具有较高的载流子浓度，因而具备较强的电荷传输能力，可以有效驱动TFT器件工作，有利于以低温或室温工艺实现高性能的MOSTFT。但是，其过高的载流子浓度也会带来器件稳定性差和关态电流难以抑制的问题。针对此问题，行业中最主流的方式是通过稀土元素的掺杂实现对载本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种大尺寸钕铝铟锌氧化物平面靶材制备方法，其特征在于，包括如下步骤：/nS1、将氧化钕、氧化铝、氧化铟和氧化锌混合研磨制浆得到混合浆料，用混合浆料进行喷雾造粒得到造粒粉；/nS2、将步骤S1所得的造粒粉依次进行模压和等静压成型得到靶材素坯；/nS3、将步骤S2得到的靶材素坯进行烧结得到烧结坯；其中，烧结包括：脱脂、烧成和降温三个阶段；/nS4、将步骤S3得到的烧结坯经机械加工和邦定得到大尺寸钕铝铟锌氧化物平面靶材。/n

【技术特征摘要】
1.一种大尺寸钕铝铟锌氧化物平面靶材制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
S1、将氧化钕、氧化铝、氧化铟和氧化锌混合研磨制浆得到混合浆料，用混合浆料进行喷雾造粒得到造粒粉；
S2、将步骤S1所得的造粒粉依次进行模压和等静压成型得到靶材素坯；
S3、将步骤S2得到的靶材素坯进行烧结得到烧结坯；其中，烧结包括：脱脂、烧成和降温三个阶段；
S4、将步骤S3得到的烧结坯经机械加工和邦定得到大尺寸钕铝铟锌氧化物平面靶材。


2.根据权利要求1所述的大尺寸钕铝铟锌氧化物平面靶材制备方法，其特征在于，步骤S1中，氧化钕、氧化铝、氧化铟和氧化锌的质量比0.1-5：0-5：50-95：5-50。


3.根据权利要求1或2所述的大尺寸钕铝铟锌氧化物平面靶材制备方法，其特征在于，步骤S1中，混合浆料的粒径D50为0.1-1μm。


4.根据权利要求1-3中任一项所述的大尺寸钕铝铟锌氧化物平面靶材制备方法，优选地，步骤S1中，造粒粉的粒径D50为5-60μm。


5.根据权利要求1-4中任一项所述的大尺寸钕铝铟锌氧化物平面靶材制备方法，其特征在于，步骤S2中，模压的压力为25-60MPa，等静压的压力为1...

【专利技术属性】
技术研发人员：文宏福，李鹏，
申请(专利权)人：韶关市欧莱高新材料有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44