铝溅镀靶材制造技术

本发明专利技术提供一种具有与现有的铝溅镀靶材相同程度的导电性且可减少损伤的发生的溅镀靶材。本发明专利技术的铝溅镀靶材包含0.005原子％～0.04原子％的Ni、及0.005原子％～0.06原子％的La，且剩余部分为Al及不可避免的杂质。

Aluminum sputtering target

The present invention provides a sputtering target having the same conductivity as an existing aluminum sputtering target and reducing the occurrence of damage. The aluminum sputtering target of the present invention comprises Ni of 0.005 atom to 0.04 atom percent, and 0.005 atom to 0.06 atom% La, and the remaining part is Al and inevitable impurity.

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种为了形成液晶显示器及微机电系统显示器等显示装置用薄膜晶体管的电极等而使用的铝溅镀靶材。
技术介绍
铝薄膜因电阻低、蚀刻加工容易，故被用作液晶显示器等显示装置的扫描电极及信号电极。铝薄膜的形成一般而言是利用使用了溅镀靶材的溅镀法来进行。作为溅镀法以外的金属薄膜的主要成膜方法，已知有真空蒸镀法。与真空蒸镀法等方法相比较，溅镀法在可形成与溅镀靶材为同一组成的薄膜的方面具有优点。而且为工业上可大面积地稳定成膜的方面也优越的成膜方法。作为溅镀法中使用的铝溅镀靶材，已知例如专利文献1及专利文献2中记载者。专利文献1揭示了一种用作液晶显示器的电极的Al系靶材及其制造方法。专利文献1中也揭示了如下内容：靶材的硬度以维氏硬度(Hv)计为25以下，由此，可减少被称作飞溅的靶材的一部分因缺陷引起的冷却不足而过热，从而成为液相并附着于基板的现象。专利文献2中揭示了如下内容：Al系溅镀靶材中，将溅镀面侧的硬度调整为Hv20以上之后，对溅镀面侧实施精机械加工，由此可减少如下情况的发生：溅镀刚开始后多发生异常放电而在靶材表面生成被称作结核的突起物，从而成为异常放电的起点。现有技术文献专利文献专利文献1：日本专利特开平9-235666号公报专利文献2：日本专利特开2001-279433号公报
技术实现思路
专利技术要解决的课题与液晶显示器中使用的基板的大型化等相对应地，铝溅镀靶材的大型化也在发展，在大型靶材中，使用宽度及长度均为2.5m以上者。包括专利文献1及专利文献2中记载的靶材在内，现有的铝溅镀靶材因几乎不含有Al以外的元素、且结晶结构为面心立方结构等，故存在材料的强度低且表面易划伤的问题。例如，有时会因加工中的搬送时的接触而在表面产生损伤。而且，这种损伤的发生存在铝溅镀靶材越大型则越增加的倾向。若使用具有这种损伤的铝溅镀靶材在基板进行成膜，则会发生以损伤的部分为起点的飞溅的形成这样的不良情况。因此，在将溅镀靶材安装于溅镀装置而进行成膜时，通常，是在进行称作预溅镀的对虚设基板的成膜后，进行对目标基板的成膜。预溅镀是使溅镀靶材表面的损伤减少、由此在对目标基板溅镀时减少飞溅发生的方法。如所述般铝溅镀靶材的表面容易产生损伤，因而存在无法省略预溅镀的课题。本专利技术解决所述课题，目的在于提供一种具有与现有的铝溅镀靶材为相同程度的导电性且可减少损伤的发生的溅镀靶材。解决课题的技术手段可解决所述课题的本专利技术的铝溅镀靶材包含0.005原子％～0.04原子％的Ni、及0.005原子％～0.06原子％的La，剩余部分为Al及不可避免的杂质。本专利技术的优选的实施例中，维氏硬度为25以上。本专利技术的优选的实施例中，包含0.01原子％～0.03原子％的Ni、及0.03原子％～0.05原子％的La。专利技术的效果根据本专利技术，可提供具有与现有的铝溅镀靶材为相同程度的导电性且可减少损伤的发生的铝溅镀靶材。具体实施方式以下所示的实施例例示用以将本专利技术的技术思想具体化的铝溅镀靶材，并非将本专利技术限定为以下实施例。本专利技术人等人经过了努力研究，结果发现，如以下详细所示，添加固溶或Al-Ni系金属间化合物微量析出程度的少量的Ni、及固溶或Al-La系金属间化合物微量析出程度的少量La，更详细而言，添加0.005原子％～0.04原子％的Ni、及0.005原子％～0.06原子％的La，且使剩余部分为Al及不可避免的杂质，由此，具有与现有的铝溅镀靶材为相同程度的导电性，且可抑制表面的损伤的发生，从而完成了本专利技术。作为以Al为主成分且添加了Ni及La的溅镀靶材，已知例如日本专利特开2008-127624号公报所示的Al-Ni-La合金溅镀靶材(铝合金溅镀靶材)。日本专利特开2008-127624号公报记载的Al-Ni-La合金溅镀靶材中，为了省略形成于设置在基板上的溅镀层上的包含Mo、Cr、Ti或W等这类高熔点金属的双金属层，而向Al中添加Ni及La。而且，日本专利特开2008-127624号公报中记载的Al-Ni-La合金溅镀靶材中，为了抑制飞溅的发生，分别对Al-Ni系金属间化合物及Al-La系金属间化合物，规定了具有规定范围内的粒径者所占的面积率的范围。而且，具体揭示的Ni的含量为0.05原子％～5原子％，La的含量为0.10原子％～1原子％。即，包含日本专利特开2008-127624号公报所示的现有的Al-Ni-La合金溅镀靶材，是添加了相对多量的Ni与La，而积极地形成Al-Ni系金属间化合物及Al-La系金属间化合物的靶材。而且，日本专利特开2008-127624号公报中记载的Al-Ni-La合金溅镀靶材中，通过如所述般规定具有规定范围的粒径的金属间化合物的面积率，而抑制因小金属间化合物的脱落引起的飞溅、及因大粒径的金属间化合物的面积率高引起的飞溅。这种Al-Ni-La合金溅镀靶材与铝溅镀靶材相比，电阻大，用途受到限定。而且，因含有相对多量的Ni及La，故为了使溅镀靶材整体的组成均匀，而难以使用真空熔解等简便方法，而通常需要使用喷射成形等特殊方法。因此，与可利用真空熔解制造的铝溅镀靶材相比，生产性低。与此相对，本专利技术的铝溅镀靶材包含0.005原子％～0.04原子％的Ni、及0.005原子％～0.06原子％的La。而且，剩余部分包含Al及不可避免的杂质。该Ni与La的组成范围在现有的Al-Ni-La合金溅镀靶材中，无法获得足够量的Al-Ni系金属间化合物及Al-La系金属间化合物而不被考虑。另外，本说明书中，“铝溅镀靶材”为如下概念，即，不仅包括包含铝及不可避免的杂质的溅镀靶材，还包括例如进而包含合计为0.1质量％左右以下的相对少量的添加元素的溅镀靶材。而且，本说明书中，“铝薄膜”为如下概念，即，不仅包括包含铝及不可避免的杂质的薄膜，还包括例如进而包含合计为0.1质量％左右以下的相对少量的添加元素的溅镀薄膜。以下对本专利技术的铝溅镀靶材的详细情况进行说明。本专利技术的铝溅镀靶材含有0.005原子％～0.04原子％的Ni及0.005原子％～0.06原子％的La，且剩余部分为Al及不可避免的杂质。首先对该组成的详细情况进行说明。1.组成(1)NiNi含量为0.005原子％～0.04原子％。Ni相对于Al的固溶限根据文献的不同而值有所不同，但均为0.01原子％～0.04原子％左右。即，含有的全部Ni固溶于Al中，或总Ni量中的少量作为Al-Ni系金属间化合物向铝结晶组织的晶界偏析，剩余的Ni固溶于Al中。由此，可维持与现有的铝溅镀靶材为相同程度的高导电性，且可提高材料强度。在Ni的金属间化合物析出的情况下，向晶界的偏析起因于与Al的原子半径相比，Ni的原子半径相当小。所述材料强度的提高会伴随硬度的提高。由此，进行了切削等机械加工的状态下的铝溅镀靶材的表面不易受损。其结果，能够减少溅镀初期发生的飞溅。Ni含量优选为0.01原子％～0.03原子％。其原因在于，可更确实地获得所述效果。若Ni含量少于0.005原子％，则材料强度的增加不充分。另一方面，若Ni含量超过0.04原子％，则导电性降低。另外，“与现有的铝溅镀靶材为相同程度的导电性，是指如下情况：例如使用作为对象的铝溅镀靶材利用溅镀法形成于基板上的铝薄膜的薄膜电阻率，为使用纯铝溅镀靶材利用相同的溅镀法形成于基板上的铝薄膜的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种铝溅镀靶材，其特征在于：包含0.005原子％～0.04原子％的Ni、及0.005原子％～0.06原子％的La，且剩余部分为A1及不可避免的杂质。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.08.03 JP 2015-1535541.一种铝溅镀靶材，其特征在于：包含0.005原子％～0.04原子％的Ni、及0.005原子％～0.06原子％的La，且剩余部...

【专利技术属性】
技术研发人员：松村仁実，
申请(专利权)人：株式会社钢臂功科研，
类型：发明
国别省市：日本;JP