烧结体的制造方法及溅射靶的制造方法技术

本发明专利技术的目的在于提供一种能够容易地制造龟裂得到抑制的烧结体的烧结体的制造方法及溅射靶的制造方法。本发明专利技术的一实施方式的烧结体的制造方法包括：形成包含金属粉末及金属氧化物粉末的原料粉末的造粒物的步骤、以及对所述造粒物进行煅烧的步骤，所述原料粉末包含Mn、Cu及Zn作为金属元素，所述原料粉末中的所述金属粉末的体积比率为28.0体积％以上，所述煅烧步骤中的烧结压力为20MPa以上。煅烧步骤中的烧结压力为20MPa以上。煅烧步骤中的烧结压力为20MPa以上。

【技术实现步骤摘要】
烧结体的制造方法及溅射靶的制造方法


[0001]本专利技术涉及一种烧结体的制造方法及溅射靶的制造方法。

技术介绍

[0002]例如，数字通用光盘(digital versatile disc，DVD)、蓝光光盘(blu
‑
ray disc，BD)等光盘被广泛用作光信息记录介质。所述光信息记录介质根据记录再现方式而分为再现专用型、追记型及改写型此三种。另外，作为所述追记型的记录方式，例如可采用(i)使记录层的构成材料发生相变的相变方式、(ii)使多个记录层发生层间反应的层间反应方式、(iii)使记录层的构成材料发生分解的分解方式等。
[0003]作为追记型的光信息记录介质中的记录层的构成材料，以往广泛使用有机色素材料。另一方面，近年来，由于记录的高密度化的要求等，作为所述构成材料，逐渐使用无机材料。
[0004]作为使用无机材料的记录层的制造方法，可采用使用与记录层为相同材料的溅射靶的溅射法。作为适合于记录层的制造的溅射靶，提出了Mn
‑
Zn
‑
O系溅射靶(参照日本专利特开2017
‑
88932号公报)。
[0005]在利用溅射法来制造记录层时，就所获得的记录层的特性的稳定化、或记录层的制造效率的提高等观点而言，重要的是防止溅射靶的龟裂。
[0006]例如在日本专利特开2016
‑
176114号公报中记载了通过控制Mn氧化物相、Zn2Mo3O8相的相分率来提高Mn
‑
Zn
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Mo
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O系的溅射靶的耐龟裂性的技术，在日本专利特开2016
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138312号公报中记载了通过控制Mn氧化物相、WMnO4相的相分率来提高Mn
‑
Zn
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W
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O系的溅射靶的耐龟裂性的技术。
[0007][现有技术文献][0008][专利文献][0009][专利文献1]日本专利特开2017
‑
88932号公报
[0010][专利文献2]日本专利特开2016
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176114号公报
[0011][专利文献3]日本专利特开2016
‑
138312号公报

技术实现思路

[0012][专利技术所要解决的问题][0013]然而，若要如专利文献2及专利文献3所公开的那样，通过控制结晶相的相分率来防止溅射靶的龟裂，则形成烧结体的步骤及其前后的步骤中的制造条件的制约变大，并且制造成本变高。
[0014]本专利技术是鉴于所述情况而成，其目的在于提供一种能够容易地制造龟裂得到抑制的烧结体的烧结体的制造方法、及可容易地制造龟裂得到抑制的溅射靶的溅射靶的制造方法。
[0015][解决问题的技术手段][0016]本专利技术的一实施方式的烧结体的制造方法包括：形成包含金属粉末及金属氧化物粉末的原料粉末的造粒物的步骤、以及对所述造粒物进行煅烧的步骤，所述原料粉末包含Mn、Cu及Zn作为金属元素，所述原料粉末中的所述金属粉末的体积比率为28.0体积％以上，所述煅烧步骤中的烧结压力为20MPa以上。
[0017]所述烧结体的制造方法中，通过所述原料粉末包含Mn、Cu及Zn作为金属元素，且所述原料粉末中的所述金属粉末的体积比率为所述下限以上，即使不严格控制结晶相的相分率，也可通过在所述烧结压力下进行煅烧来容易地制造龟裂得到抑制的烧结体。
[0018]可包含Cu粉末作为所述金属粉末，且包含Zn氧化物粉末作为所述金属氧化物粉末。如此，通过包含Cu粉末作为所述金属粉末，且包含Zn氧化物粉末作为所述金属氧化物粉末，可容易地将所述金属粉末的体积比率控制在所述下限以上，并且可更容易地抑制所述烧结体的龟裂。
[0019]作为所述原料粉末中的所述金属粉末的体积比率，优选为65.0体积％以下。如此，通过所述原料粉末中的所述金属粉末的体积比率为所述上限以下，可更容易地抑制所述烧结体的龟裂。
[0020]所述原料粉末还可包含Ag作为所述金属元素。如此，通过所述原料粉末还包含Ag作为所述金属元素，可提高使用所述烧结体而形成的记录层的成膜速度及记录灵敏度。
[0021]在所述原料粉末包含Ag作为所述金属元素时，作为所述原料粉末中的所述金属粉末的体积比率，优选为50体积％以上，且作为所述煅烧步骤中的烧结压力，优选为70MPa以下。如此，在所述原料粉末包含Ag作为所述金属元素时，通过使所述原料粉末中的所述金属粉末的体积比率为所述下限以上，即使减小所述煅烧步骤中的烧结压力，也可容易地制造龟裂得到抑制的烧结体。
[0022]所述原料粉末还可包含选自由W、Mo、Zr、Ta、Mg、Ni、Si及Al所组成的群组中的一种或两种以上。如此，通过所述原料粉末还包含选自由W、Mo、Zr、Ta、Mg、Ni、Si及Al所组成的群组中的一种或两种以上，可更容易地制造龟裂得到抑制的烧结体。
[0023]作为通过所述煅烧步骤而获得的烧结体的相对密度，优选为超过80％。根据所述烧结体的制造方法，可容易地制造相对密度超过所述下限的烧结体。由此，可更可靠地抑制所述烧结体的龟裂。
[0024]作为通过所述煅烧步骤而获得的烧结体的电阻率，优选为1
×
10
‑2Ωcm以下。根据所述烧结体的制造方法，可容易地制造电阻率为所述上限以下的烧结体。
[0025]本专利技术的另一实施方式的溅射靶的制造方法包括：形成包含金属粉末及金属氧化物粉末的原料粉末的造粒物的步骤、以及对所述造粒物进行煅烧的步骤，所述原料粉末包含Mn、Cu及Zn作为金属元素，所述原料粉末中的所述金属粉末的体积比率为28.0体积％以上，所述煅烧步骤中的烧结压力为20MPa以上。
[0026]所述溅射靶的制造方法中，通过所述原料粉末包含Mn、Cu及Zn作为金属元素，且所述原料粉末中的所述金属粉末的体积比率为所述下限以上，即使不严格控制结晶相的相分率，也可通过在所述烧结压力下进行煅烧来容易地制造龟裂得到抑制的烧结体。
[0027]此外，本专利技术中，“烧结体的相对密度”是指由烧结体的密度相对于由原料粉末的质量计算出的理论密度的比而求出的值。
[0028][专利技术的效果][0029]如上所说明，本专利技术的一实施方式的烧结体的制造方法可容易地制造龟裂得到抑制的烧结体。另外，本专利技术的另一实施方式的溅射靶的制造方法可容易地制造龟裂得到抑制的溅射靶。
附图说明
[0030]图1是表示本专利技术的一实施方式的烧结体的制造方法的流程图。
[0031]图2是表示通过图1的烧结体的制造方法形成的烧结体的示意性剖面图。
[0032][符号的说明][0033]1：烧结体
[0034]S1：形成步骤
[0035]S2：煅烧步骤
具体实施方式
[0036]以下，参照附图，对本专利技术的实施方式进行详细说明。
[0037][烧结体的制造方法][0038]本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种烧结体的制造方法，包括：形成包含金属粉末及金属氧化物粉末的原料粉末的造粒物的步骤、以及对所述造粒物进行煅烧的步骤，所述原料粉末包含Mn、Cu及Zn作为金属元素，所述原料粉末中的所述金属粉末的体积比率为28.0体积％以上，所述煅烧步骤中的烧结压力为20MPa以上。2.根据权利要求1所述的烧结体的制造方法，其中，包含Cu粉末作为所述金属粉末，且包含Zn氧化物粉末作为所述金属氧化物粉末。3.根据权利要求1或2所述的烧结体的制造方法，其中，所述原料粉末中的所述金属粉末的体积比率为65.0体积％以下。4.根据权利要求1或2所述的烧结体的制造方法，其中，所述原料粉末还包含Ag作为所述金属元素。5.根据权利要求4所述的烧结体的制造方法，其中，所述原料粉末中的所述金属粉末的体积比率为50体积％以上，且所述煅烧步骤中的烧...

【专利技术属性】
技术研发人员：田尾幸树，
申请(专利权)人：株式会社钢臂功科研，
类型：发明
国别省市：