W-Ni溅镀靶制造技术

本发明专利技术是关于制造W‑Ni溅镀靶的方法以及其用途。本发明专利技术同样是关于含有45重量％至75重量％的W、余量Ni及一般杂质的溅镀靶，其含有Ni(W)相、W相且不含或含有小于10％金属间相。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】201480069873

【技术保护点】
一种含有45重量％至75重量％W、余量Ni及一般杂质的溅镀靶，其特征在于所述溅镀靶含有Ni(W)相、W相且不含或含有以靶材截面量测的平均面积比例小于10％的金属间相。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2013.12.20 AT GM456/20131.一种含有45重量％至75重量％W、余量Ni及一般杂质的溅镀靶，其特征在于所述溅镀靶含有Ni(W)相、W相且不含或含有以靶材截面量测的平均面积比例小于10％的金属间相。2.如权利要求1所述的溅镀靶，其特征在于氧含量小于100μg/g。3.如权利要求1或2所述的溅镀靶，其特征在于所述溅镀靶硬度小于500HV10。4.如权利要求1至3中任一项所述的溅镀靶，其特征在于所述溅镀靶为管状溅镀靶。5.如权利要求1至4中任一项所述的溅镀靶，其特征在于所述溅镀靶为一件式的管状靶。6.如权利要求1至5中任一项所述的溅镀靶，其特征在于所述溅镀靶具有15％至45％范围内的在该靶材的截面量测的W相面积比例。7.如权利要求1至6中任一项所述的溅镀靶，其特征在于所述溅镀靶具有小于40μm的所述W相的平均粒度。8.如权利要求1至7中任一项所述的溅镀靶，其特征在于所述溅镀靶具有存在于所述Ni(W)相中的平行于主变形方向的<110>的织构。9.一种如权利要求1至8中任一项...

【专利技术属性】
技术研发人员：克里斯汀·林克，托马斯·谢勒，
申请(专利权)人：攀时奥地利公司，
类型：发明
国别省市：奥地利;AT