一种靶材边缘之铝熔射层的检测方法技术

一种靶材边缘之铝熔射层的检测方法，包括：步骤S1：将待溅射之靶材设置在真空腔室内，并在靶材的横向端面与真空腔室内的隔离套件之间设置预设间距；步骤S2：在真空腔室内通入氩气和氮气，并通过泵抽单元将真空腔室之压力控制在预设压力；步骤S3：通过外部电源对靶材施加电压，其输出功率为P1，并监控直流功率输出值Pd；步骤S4：经过预设稳定时间后，直流功率输出值Pd满足a≤Pd≤b；步骤S5：对直流输出功率值Pd进行持续预设时间观察，当Pd＝c，且c＞b≥a时，则判定靶材边缘之铝熔射层品质异常。通过本发明专利技术进行铝熔射层品质检测，不仅操作简单、使用方便，而且检测结构更为直观，检测方法客观、准确，值得推广应用。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制造
，尤其涉及一种靶材边缘之铝熔射层的检测方法。
技术介绍
在物理气相沉积系统中，靶材作为重要的组成部分，被广泛应用于集成电路制造领域。为了防止工艺过程中靶材边缘因逆沉积薄膜(Re-deposition Film)的剥落造成颗粒缺陷，通常需要对靶材边缘喷涂铝熔射层，以增加靶材的粗糙度，进而增加逆沉积薄膜的吸附性，防止剥落。但是，当所述靶材边缘之铝熔射层出现品质异常时，则会形成放电现象，导致大量的逆沉积薄膜的剥落和球状的电弧缺陷。另一方面，目前本领域仅能通过目检和粗糙度的检测来对所述铝熔射层进行品质管控。明显地，目检所存在的光线、人员、角度等的不确定性，无法准确有效的监控铝熔射层的质量，且粗糙度的检测只能对涂层表面进行抽样检测，存在涂层检测不全面的问题。寻求一种操作简单、使用方便，并可有效、准确的检测靶材边缘之铝熔射层品质的方法已成为本领域技术人员亟待解决的技术问题之一。故针对现有技术存在的问题，本案设计人凭借从事此行业多年的经验，积极研究改良，于是有了本专利技术一种靶材边缘之铝熔射层的检测方法。
技术实现思路
本专利技术是针对现有技术中，传统靶材边缘之熔射层的检测方法仅能通过目检和粗糙度的检测来对所述铝熔射层进行品质管控，而目检所存在的光线、
人员、角度等的不确定性，无法准确有效的监控铝熔射层的质量，又粗糙度的检测只能对涂层表面进行抽样检测，存在涂层检测不全面的问题等缺陷提供一种靶材边缘之铝熔射层的检测方法。为实现本专利技术之目的，本专利技术提供一种靶材边缘之铝熔射层的检测方法，所述靶材边缘之铝熔射层的检测方法，包括：执行步骤S1：将待溅射之靶材设置在真空腔室内，并在所述靶材的横向端面与所述真空腔室内的隔离套件之间设置预设间距；执行步骤S2：在所述真空腔室内通入氩气和氮气，并通过泵抽单元将真空腔室之压力控制在预设压力；执行步骤S3：通过外部电源对靶材施加电压，其输出功率为Pl，并监控直流功率输出值Pd；执行步骤S4：经过预设稳定时间后，所述直流功率输出值Pd满足a≤Pd≤b；执行步骤S5：对所述直流输出功率值Pd进行持续预设时间观察，当Pd＝c，且c＞b≥a时，则判定所述靶材边缘之铝熔射品质异常。可选地，所述靶材的横向端面与所述真空腔室内的隔离套件之间的预设间距d满足2.3mm≤d≤2.7mm。可选地，所述真空腔室之预设压力P满足10mTorr≤P≤12mTorr。可选地，所述输出功率为Pl为6000W。可选地，所述预设稳定时间为3s。可选地，在所述输出功率为Pl为6000W，所述稳定时间为3s时，所述直流功率输出值Pd满a≤Pd≤b，a＝5978W，b＝5986w。可选地，所述持续预设时间为10min。可选地，所述直流功率输出值Pd＝c，且c＝5996W。可选地，其特征在于，所述靶材为钛靶。综上所述，通过本专利技术靶材边缘之铝熔射层品质的检测方法进行铝熔射层品质检测，不仅操作简单、使用方便，而且检测结构更为直观，检测方法客观、准确，值得推广应用。附图说明图1所示为本专利技术靶材边缘之铝熔射层品质的检测方法流程图；图2所示为具有靶材之真空腔室的结构示意图；图3所示为靶材边缘之铝熔射层品质的直流功率输出检测图。具体实施方式为详细说明本专利技术创造的
技术实现思路
、构造特征、所达成目的及功效，下面将结合实施例并配合附图予以详细说明。在物理气相沉积系统中，靶材作为重要的组成部分，被广泛应用于集成电路制造领域。为了防止工艺过程中靶材边缘因逆沉积薄膜(Re-deposition Film)的剥落造成颗粒缺陷，通常的需要对靶材边缘喷涂铝熔射层，以增加靶材的粗糙度，进而增加逆沉积薄膜的吸附性，防止剥落。但是，当所述靶材边缘之铝熔射层出现品质异常时，则会形成放电现象，导致大量的逆沉积薄膜的剥落和球状的电弧缺陷。另一方面，目前在本领域仅能通过目检和粗糙度的检查来对所述铝熔射层进行品质管控。明显地，目检所存在的光线、人员、角度等的不确定性，无法准确有效的监控铝熔射层的质量，且粗糙度的检查只能对涂层表面进行抽样检测，存在涂层检测不全面的问题。请参阅图1，图1所示为本专利技术靶材边缘之铝熔射层品质的检测方法流程
图。所述靶材边缘之铝熔射层品质的检测方法，包括：执行步骤S1：将待溅射之靶材设置在真空腔室内，并在所述靶材的横向端面与所述真空腔室内的隔离套件之间设置预设间距；执行步骤S2：在所述真空腔室内通入氩气和氮气，并通过泵抽单元将真空腔室之压力控制在预设压力；执行步骤S3：通过外部电源对靶材施加电压，其输出功率为P1，并监控直流功率输出值Pd；执行步骤S4：经过预设稳定时间后，所述直流功率输出值Pd满足a≤Pd≤b；执行步骤S5：对所述直流输出功率值Pd进行持续预设时间观察，当Pd＝c，且c＞b≥a时，则判定所述靶材边缘之铝熔射层品质异常。为了更直观的揭露本专利技术之技术方案，凸显本专利技术之有益效果，现结合具体实施方式，对所述靶材边缘之铝熔射层的检测方法和原理进行阐述。在具体实施方式中，所述靶材的形状，真空腔室之元部件的具体结构等仅为列举，不应视为对本专利技术技术方案的限制。请参阅图2、图3，并结合参阅图1，图2所示为具有靶材之真空腔室的结构示意图。图3所示为靶材边缘之铝熔射层品质的直流功率输出检测图。所述靶材边缘之铝熔射层品质的检测方法，包括：执行步骤S1：将待溅射之靶材10设置在真空腔室1内，并在所述靶材10的横向端面11与所述真空腔室1内的隔离套件12之间设置预设间距；执行步骤S2：在所述真空腔室1内通入氩气和氮气，并通过泵抽单元(未图示)将真空腔室1之压力控制在预设压力；执行步骤S3：通过外部电源(未图示)对靶材10施加电压，其输出功率为Pl，并监控直流功率输出值Pd；执行步骤S4：经过预设稳定时间后，所述直流功率输出值Pd满足a≤Pd≤b；执行步骤S5：对所述直流输出功率值Pd进行持续预设时间观察，当Pd＝c，且c＞b≥a时，则判定所述靶材1边缘之铝熔射层(未图示)品质异常。作为具体的实施方式，在执行步骤S1时，将待溅射之靶材10设置在真空腔室1内，并在所述靶材10的横向端面11与所述真空腔室1内的隔离套件12之间设置预设间距。其中，所述靶材10的横向端面11与所述真空腔室1内的隔离套件12之间的预设间距d满足2.3mm≤d≤2.7mm。另外，所述靶材10和所述隔离套件12的结构形状和用途等均为本领域技术人员所掌握的常规性能，在此不予赘述。在执行步骤S2时，在所述真空腔室1内通入氩气和氮气，并通过泵抽单元(未图示)将真空腔室1之压力控制在预设压力。即，在向所述真空腔室1通入氩气和氮气的同时，所述泵抽单元进行抽气，并将所述真空腔室1之压力恒定在所述预设压力。优选地，所述真空腔室之预设压力P满足10mTorr≤P≤12mTorr。通过本专利技术靶材边缘之铝熔射层品质的检测方法进行铝熔射层品质检测时，非限制性的列举，例如，所述输出功率为Pl为6000W，所述预设稳定时间为3s，在所述输出功率为Pl为6000W，所述稳定时间为3s时，所述直流功率输出值Pd满a≤Pd≤b，a＝5978W，b＝5986w。对所述直流输出功率值Pd进行持续预设时间观察，所述持续预设时间为10min，所述直流功率输出值Pd＝c，且c＝5996本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种靶材边缘之铝熔射层的检测方法，其特征在于，所述靶材边缘之铝熔射层的检测方法，包括：执行步骤S1：将待溅射之靶材设置在真空腔室内，并在所述靶材的横向端面与所述真空腔室内的隔离套件之间设置预设间距；执行步骤S2：在所述真空腔室内通入氩气和氮气，并通过泵抽单元将真空腔室之压力控制在预设压力；执行步骤S3：通过外部电源对靶材施加电压，其输出功率为P1，并监控直流功率输出值Pd；执行步骤S4：经过预设稳定时间后，所述直流功率输出值Pd满足a≤Pd≤b；执行步骤S5：对所述直流输出功率值Pd进行持续预设时间观察，当Pd＝c，且c＞b≥a时，则判定所述靶材边缘之铝熔射层品质异常。

【技术特征摘要】
1.一种靶材边缘之铝熔射层的检测方法，其特征在于，所述靶材边缘之铝熔射层的检测方法，包括：执行步骤S1：将待溅射之靶材设置在真空腔室内，并在所述靶材的横向端面与所述真空腔室内的隔离套件之间设置预设间距；执行步骤S2：在所述真空腔室内通入氩气和氮气，并通过泵抽单元将真空腔室之压力控制在预设压力；执行步骤S3：通过外部电源对靶材施加电压，其输出功率为P1，并监控直流功率输出值Pd；执行步骤S4：经过预设稳定时间后，所述直流功率输出值Pd满足a≤Pd≤b；执行步骤S5：对所述直流输出功率值Pd进行持续预设时间观察，当Pd＝c，且c＞b≥a时，则判定所述靶材边缘之铝熔射层品质异常。2.如权利要求1所述靶材边缘之铝熔射层的检测方法，其特征在于，所述靶材的横向端面与所述真空腔室内的隔离套件之间的预设间距d满足2.3mm≤d≤2.7mm。3.如权利要求1所述靶材边缘之铝熔...

【专利技术属性】
技术研发人员：胡彬彬，王东，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31