半导体组件及具有该半导体组件的半导体封装结构制造技术

本发明专利技术关于一种半导体组件及一种具有该半导体组件的半导体封装结构。该半导体组件包括一导电组件。该导电组件位于一凸出的导通柱及阻绝层上，且覆盖该阻绝层的一侧壁。因此，该导电组件能保护该凸出的导通柱及阻绝层不受伤害。再者，该导电组件的尺寸较该导通柱大，因此易于进行一探针测试工艺。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术关于一种半导体组件及一种具有该半导体组件的半导体封装结构，详言之，关于一种具有凸出的导通柱的半导体组件及一种具有该半导体组件的半导体封装结构。
技术介绍
参考图1至图13，显示半导体组件的已知半导体工艺的示意图。参考图1，提供一半导体基板10。该半导体基板10内具有数个硅导通柱11，且每一这些硅导通柱11被一衬层12围绕。参考图2，经由对该半导体基板10进行一薄化工艺，显露这些硅导通柱11及这些衬层12，因此这些硅导通柱11及这些衬层12凸出于该半导体基板10的一表面。参考图3，形成一第一隔离膜131于该半导体基板10的表面上。参考图4，移除部分该第一隔离膜131及该衬层12，因此该衬层12的一端与该第一隔离膜131的表面共平面，且这些硅导通柱11凸出于该第一隔离膜131的表面。参考图5，形成一晶种层14于该第一隔离膜131 的表面及这些硅导通柱11的显露部分上方。参考图6，形成一第一图案屏蔽151于该晶种层14上方。该第一图案屏蔽151具有数个开口 152。每一这些开口 152的底部宽于每一这些开口 152的顶部。参考图7，形成数个导电组件16于这些开口 152内。参考本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种半导体组件，包括：一半导体基板，具有一第一表面及一第二表面；一第二表面钝化层，位于该半导体基板的第二表面；一导通柱，位于该半导体基板内，并具有一顶面；一阻绝层，围绕该导通柱，其中该导通柱及该阻绝层凸出于该第二表面钝化层，且该导通柱的该顶面大致与该阻绝层的一阻绝层顶面共平面；及一导电组件，覆盖该导通柱的该顶面及该阻绝层顶面。

【技术特征摘要】
2010.10.12 US 12/902,8401.一种半导体组件，包括一半导体基板，具有一第一表面及一第二表面； 一第二表面钝化层，位于该半导体基板的第二表面； 一导通柱，位于该半导体基板内，并具有一顶面；一阻绝层，围绕该导通柱，其中该导通柱及该阻绝层凸出于该第二表面钝化层，且该导通柱的该顶面大致与该阻绝层的一阻绝层顶面共平面；及一导电组件，覆盖该导通柱的该顶面及该阻绝层顶面。2.如权利要求1的半导体组件，其中该导电组件为一保护盖。3.如权利要求2的半导体组件，其中该保护盖包括一晶种层及一球下金属层，该球下金属层的一顶部宽于该球下金属层的底部，且于该球下金属层的一侧壁及该第二表面钝化层之间形成一介于70度至85度的夹角。4.如权利要求1的半导体组件，更包括一第一表面钝化层、一球下金属层及一焊球，其中该第一表面钝化层位于该半导体基板的第一表面，该导通柱的一前端凸出于该第一表面钝化层，该球下金属层覆盖该导通柱之前端及部分该第一表面钝化层，且该焊球位于该球下金属层上。5.如权利要求1的半导体组件，其中该导电组件为一重布层，且该半导体组件更包括 一介电层，位于该重布层及该第二表面钝化层上，且具有一开口，以显露部分该重布层；一第二晶种层，位于该开口内及部分该介电层上；及一球下金属层，位于该晶种层上。6.如权利要求5的半导体组件，更包括一个或多个布线层，位于该半导体基板的第一表面。7.一种半导体组件，包括一半导体基板，具有一第一表面及一第二表面； 一第二表面钝化层，位于该半导体基板的第二表面；一导通柱，位于该半导体基板内，且具有一凸出部，该凸出部凸出于该第二表面钝化层，且具有一顶面及一侧面，其中除了该凸出部的顶面及侧面，该导通柱被一阻绝层围绕； 及一保护盖，直接形成于该导通柱的凸出部上，其中该保护盖于该导通柱的凸出部的顶面及侧面上的厚度大致均一，且该厚度至少约2 μ m。8.如权利要求7的半导体组件，其中该保护盖包括一第一金属及一第二金属，该第一金属具有大致均一的厚度，...

【专利技术属性】
技术研发人员：郑斌宏，王盟仁，
申请(专利权)人：日月光半导体制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71